[發(fā)明專利]一種單面制絨的金剛線切割多晶硅片及其制絨方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610065917.9
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105576080B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 付紅平;章金兵;彭也慶
• 申請（專利權(quán)）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10;H01L29/06
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強(qiáng)

1.一種金剛線切割多晶硅片的單面制絨方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)取金剛線切割多晶硅片，將所述硅片以兩兩相并的方式插入到硅片籃的同一槽內(nèi)，將帶有硅片的硅片籃置于含有氫氟酸、雙氧水、硝酸銀及水的混合液中進(jìn)行腐蝕2～8min，制得含孔狀結(jié)構(gòu)的硅片；其中，所述腐蝕為梯度腐蝕，具體為：先將所述硅片置于HF、H₂O₂、AgNO₃的摩爾濃度分別為3-4.2mol/L、5.5-7mol/L及0.012-0.02mmol/L的第一混合液中進(jìn)行一次腐蝕2～5min；再置于HF、H₂O₂、AgNO₃的摩爾濃度分別為2.5-3mol/L、4-5.5mol/L及0.01-0.015mmol/L的第二混合液中進(jìn)行二次腐蝕1～3min；

(2)將上述含孔狀結(jié)構(gòu)的硅片先置于堿性溶液進(jìn)行堿處理、再置于硝酸溶液中進(jìn)行酸處理，在所述硅片的一面制得具有微缺陷的表面結(jié)構(gòu)層；

(3)將經(jīng)過上述處理的硅片進(jìn)行常規(guī)制絨，并經(jīng)水洗、干燥后得到單面制絨的金剛線切割多晶硅片。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述堿處理中，所述堿性溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～10％，堿處理的溫度25～40℃，堿處理的時間為3～6min。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸處理中，所述硝酸溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10～30％，酸處理的時間為4～6min。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在將所述硅片插入硅片籃之前，還包括：將所述硅片進(jìn)行清洗預(yù)處理，以去除所述硅片表面的雜質(zhì)及線痕。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗預(yù)處理包括：

將所述硅片放入堿性溶液中進(jìn)行堿清洗，之后將所述硅片在氫氟酸溶液中進(jìn)行酸清洗，其中，所述堿性溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液，所述堿性溶液中堿的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～10％，堿清洗的溫度為60～80℃，清洗時間為3～6min；所述氫氟酸溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3～8％，酸清洗的溫度為25～35℃，清洗時間為3～5min。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述堿清洗的溫度為70-75℃。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述堿清洗之后，還包括：

在純水槽中進(jìn)行漂洗3～5min，所述漂洗的溫度為30～50℃。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)中，在所述腐蝕和所述堿處理之間，以及所述堿處理和所述酸處理之間，還包括：對所述硅片進(jìn)行水清洗，所述水清洗的溫度為20-40℃，水清洗的時間為3-5min。

9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法制得的單面制絨的金剛線切割多晶硅片。