[發明專利]一種DBD激發源、DBD-AES系統及其檢測分析方法

有效

• 申請號: 201610065834.X
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN105717092B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 于永亮;蔡憶;張雅潔;吳得福;王建華
• 申請（專利權）人: 東北大學
• 主分類號: G01N21/67
• 分類號: G01N21/67;G01N21/69
• 代理公司: 沈陽東大知識產權代理有限公司 21109
• 代理人: 李晴

1.一種DBD激發源，其特征在于，為開放式等離子體激發源，由電極一、電極二和供電系統組成，兩個電極通過導線分別連接到供電系統的兩極；

其中，所述電極一為附在石英片上的導電金屬片；所述電極二由霧化器和包裹在霧化器出口側壁上的導電金屬箔片組成；

所述霧化器出口垂直朝向電極一，在電極一和電極二的霧化器出口之間形成放電區域；

霧化器出口到電極一之間的距離為0.2～1000mm；

所述霧化器為由內管和外管組成的套管，內外管不連通；內管設有樣品入口和樣品出口，外管設有載氣入口和載氣出口，且樣品出口與載氣出口位置同心；

霧化器出口處外壁厚度為0.1～0.4mm；樣品出口內徑為0.3～0.6mm，載氣出口內徑為0.6～0.9mm；

供電系統為電壓3～4kV，頻率35～45kHz的交流電源。

2.根據權利要求1所述的一種DBD激發源，其特征在于，所述的導線一根連接在電極一的導電金屬片上，另一根纏繞在電極二的導電金屬箔片外。

3.根據權利要求1所述的一種DBD激發源，其特征在于，所述電極一的導電金屬片的金屬為鎢、鉑；所述電極二的導電金屬箔片的金屬為鋁、金、鎢、鉑。

4.根據權利要求1所述的一種DBD激發源，其特征在于，在所述電極一的石英片上設置另外一片石英片作為側石英片，二者的夾角為45～90°。

5.一種DBD-AES系統，其特征在于，由權利要求1所述的DBD激發源，順序注射系統，載氣瓶和CCD檢測器組成；

其中，順序注射系統與DBD激發源霧化器的樣品入口連接；

載氣瓶與DBD激發源霧化器的載氣入口連接；

CCD位于電極放電區域的側邊。

6.一種利用權利要求5所述的DBD-AES系統的分析檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)開啟載氣至流速穩定，使載氣由霧化器出口處持續噴出，開啟供電系統，DBD激發源在放電區域可持續產生DBD等離子體；

2)待等離子體穩定激發后開始進樣；通過順序注射系統將液體樣品通入霧化器，在霧化器出口處由載氣霧化分散成液體小顆粒，同時液體小顆粒進入到DBD等離子體激發源的放電區域中由DBD等離子體激發，產生特征發射光譜；

3)利用CCD捕捉特征發射光譜，并記錄數據；

4)實驗完成后，清洗順序注射系統及霧化器，準備進行下一次進樣。

7.根據權利要求6所述的一種DBD-AES系統的分析檢測方法，其特征在于，載氣流速為1～800mL/min；液體流速為1～120μL/s；采樣頻率為0～80次/h。