[發明專利]三軸AMR磁力傳感器的制造方法

在審

• 申請號: 201610065775.6
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105655484A
• 公開（公告）日: 2016-06-08
• 發明（設計）人: 曹苗苗;時廷
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/02;G01R33/09
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在襯底上形成第一絕緣層；

步驟二、采用光刻刻蝕工藝在所述第一絕緣層中形成溝槽，后續Z軸AMR磁力傳 感器會形成于所述溝槽中；

步驟三、在所述溝槽的底部表面、側面以及所述溝槽外的所述第一絕緣層表面形 成第二側壁修復層，通過形成所述第二側壁修復層對步驟二的刻蝕工藝在所述溝槽的 側壁表面和底部表面造成的損傷進行修復，從而提高所述溝槽的側壁表面和底部表面 光滑度并使后續形成于所述溝槽的側壁表面的所述Z軸AMR磁力傳感器的磁性改善；

步驟四、在所述溝槽的底部表面、側面以及所述溝槽外的所述第二側壁修復層表 面形成第三介質隔離層；

步驟五、在所述第三介質隔離層表面形成具有各向異性磁電阻的磁性材料層；

步驟六、采用光刻刻蝕工藝對所述磁性材料層進行刻蝕并同時形成三軸AMR磁力 傳感器的X軸AMR磁力傳感器、Y軸AMR磁力傳感器和Z軸AMR磁力傳感器,所述X 軸AMR磁力傳感器和所述Y軸AMR磁力傳感器位于所述溝槽外的所述第三介質隔離層 表面，所述Z軸AMR磁力傳感器位于所述溝槽側壁的所述第三介質隔離層表面。

2.如權利要求1所述三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于：所述磁性 材料層為鐵鎳合金層。

3.如權利要求1所述三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于：所述第一 絕緣層為氧化硅層。

4.如權利要求1或2所述三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于：所述 第二側壁修復層為氧化硅層。

5.如權利要求4所述三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于：所述第二 側壁修復層的厚度小于等于500埃。

6.如權利要求1或2所述三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于：所述 第三介質隔離層為氮化硅層。

7.如權利要求1所述三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于：步驟五中 形成所述磁性材料層之后還包括在所述磁性材料層表面形成保護層的步驟，之后對所 述磁性材料層和所述保護層進行退火，步驟六中采用光刻刻蝕工藝依次對所述保護層 和所述磁性材料層進行刻蝕同時形成所述三軸AMR磁力傳感器。

8.如權利要求1所述三軸AMR磁力傳感器的制造方法，其特征在于：所述磁性 材料層為鐵鎳合金層，所述保護層為氮化鉭層。