[發明專利]一種極高靶材利用率的鍍膜設備

在審

• 申請號: 201610065026.3
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN107022742A
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 渠洪波
• 申請（專利權）人: 沈陽科友真空技術有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種極高靶材利用率的鍍膜設備，包括真空室，其特征在于，還包括管狀靶材、偏壓電源、直流線圈電源和鍍膜電源，所述管狀靶材設置在所述真空室內，所述偏壓電源、所述直流線圈電源和所述鍍膜電源均設置在所述真空室外，所述管狀靶材上纏繞有水冷線圈，所述管狀靶材的上方設置有第一工件臺，所述管狀靶材的下方設置有第二工件臺，所述偏壓電源與所述第一工件臺連接，所述偏壓電源通過所述第一工件臺向樣品加載負偏壓，所述管狀靶材內部的電子受電場的作用加速向樣品運動，所述直流線圈電源與所述水冷線圈連接，所述直流線圈電源與所述線圈水冷系統開啟后施加與電場方向正交的磁場，電子在電場力與洛倫茲力的共同作用下在管內做螺旋運動，所述鍍膜電源與所述管狀靶材連接，開啟所述鍍膜電源，向所述管狀靶材施加一個大于樣品的負偏壓，使Ar⁺加速向管壁轟擊，將靶材原子濺射出來。

2.如權利要求1所述的極高靶材利用率的鍍膜設備，其特征在于，所述真空室的上端設置有進氣孔，所述進氣孔與所述進氣裝置連接，進氣裝置通過進氣孔向所述真空室中充入工作氣體Ar，使其到達合適的真空度。

3.如權利要求2所述的極高靶材利用率的鍍膜設備，其特征在于，所述真空室的底端設置有抽氣孔，所述抽氣孔與所述抽氣裝置連接，所述抽氣裝置對所述真空室進行抽氣，所述真空室達到本體真空程度。

4.如權利要求3所述的極高靶材利用率的鍍膜設備，其特征在于，所述水冷線圈包括線圈和線圈水冷系統 。

5.如權利要求4所述的極高靶材利用率的鍍膜設備，其特征在于，所述第二工件臺上設置有卷繞機構，所述卷繞機構自動纏繞安裝在工件臺上的鍍膜結束的工件，使工件在所述管狀靶材中連續鍍膜。

6.如權利要求5所述的極高靶材利用率的鍍膜設備，其特征在于，所述線圈為電磁線圈，所述電磁線圈為永磁體。