[發明專利]發光器件有效
| 申請號: | 201610064675.1 | 申請日: | 2011-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN105679908B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發明(設計)人: | 丁煥熙 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 達小麗;夏凱 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光結構層 第一導電類型 半導體層 發光器件 導電類型半導體層 絕緣支撐構件 第一電極 導電層中 導電層 電連接 側壁 源層 | ||
本發明涉及一種發光器件。發光器件包括:發光結構層,該發光結構層包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的有源層;第一電極,該第一電極電連接到第一導電類型半導體層;在發光結構層下面的絕緣支撐構件;以及在發光結構層和絕緣支撐構件之間的多個導電層。多個導電層中的至少一個具有大于發光結構層的寬度的寬度并且包括接觸部分,該接觸部分被布置為從發光結構層的側壁進一步向外。
本申請是申請號為201110351842.8、申請日為2011年10月25日、標題為“發光器件”的專利申請的分案申請。
技術領域
本公開涉及一種發光器件、用于制造發光器件的方法、發光器件封裝、以及照明系統。
背景技術
由于它們的物理和化學特性,III-V族氮化物半導體被關注作為發光二極管(LED)或者激光二極管(LD)的核心材料。這樣的III-V族半導體可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的組成式的半導體材料形成。
發光二極管(LED)是一種使用化合物半導體的特性將電能轉化為紅外線或者光以發送/接收轉化的紅外線或者光或者利用轉化的紅外線或者光作為光源的半導體器件。
使用半導體材料的LED或者LD被廣泛地用于發光器件以產生光。例如,LED或者LD被用作諸如移動終端的鍵盤、電子器件板、以及照明裝置的發光部分的各種產品的光源。
發明內容
實施例提供具有新穎的結構的發光器件、用于制造發光器件的方法、發光器件封裝、以及照明系統。
實施例提供包括發光結構層下面的絕緣支撐構件和多個導電層的發光器件、用于制造發光器件的方法、發光器件封裝、以及照明系統。
在一個實施例中,發光器件包括:發光結構層,該發光結構層包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的有源層;第一電極,該第一電極電連接到第一導電類型半導體層;在發光結構層下面的絕緣支撐構件;以及在發光結構層和絕緣支撐構件之間的多個導電層,其中多個導電層中的至少一個具有大于發光結構層的寬度的寬度,并且包括接觸部分,該接觸部分被布置為從發光結構層的側壁進一步向外。
在另一實施例中,發光器件包括:發光結構層,該發光結構層包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的有源層;第一電極,該第一電極電連接到第一導電類型半導體層;在發光結構層下面的絕緣支撐構件;在發光結構層和支撐構件之間的多個導電層;以及在發光結構層和支撐構件之間的保護構件,其中多個導電層中的至少一個具有大于發光結構層的寬度的寬度,并且包括與第一電極相對應的第一接觸部分。
在又一實施例中,發光器件封裝包括:主體;在主體上的多個引線電極,所述多個引線電極包括第一和第二引線電極;在第二引線電極上的發光器件,發光器件電連接到第一和第二引線電極;以及模制構件,該模制構件覆蓋發光器件,其中所述發光器件包括:發光結構層,該發光結構層包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間的有源層;第一電極,該第一電極電連接到第一導電類型半導體層;在發光結構層下面的絕緣支撐構件;以及在發光結構層和絕緣支撐構件之間的多個導電層,其中多個導電層中的至少一個具有大于發光結構層的寬度的寬度,并且包括接觸部分,該接觸部分被布置為從發光結構層的側壁進一步向外。
在附圖和下面的說明中闡述一個或多個實施例的細節。通過說明書和附圖并且通過權利要求,其他特征將是顯而易見的。
附圖說明
圖1是根據第一實施例的發光器件的側截面圖。
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