[發(fā)明專(zhuān)利]檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610064110.3
• 申請(qǐng)日: 2016-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105549335A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李偉峰;顧以理;王雷
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/20
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

1.一種檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于，包括如下步驟：

第1步，制造一塊光刻掩模版，所述光刻掩模版具有若干規(guī)則排列的單一規(guī)則圖形；

第2步，在光刻機(jī)上利用所述光刻掩模版曝光若干枚晶圓；

第3步，在光學(xué)顯微鏡下檢查晶圓邊緣并判斷邊緣是否有圖形失像的情況，如出現(xiàn) 圖形失像的情況，判斷圖形失像影響的大小及位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 在第3步后，進(jìn)一步利用掃描電子顯微鏡檢測(cè)晶圓邊緣的圖形失像情況。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版上的單一規(guī)則圖形為相同尺寸的對(duì)稱(chēng)圖形。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版上的對(duì)稱(chēng)圖形包括正方形、圓形、長(zhǎng)方形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版上的規(guī)則圖形以1：1比例間隔排列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 第2步中采用的所述晶圓的表面平整度小于0.6um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 在第2步中，設(shè)定不同的光刻條件對(duì)晶圓進(jìn)行曝光。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 所述光刻條件包括光刻膠、能量、光照模式。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 在第2步中，設(shè)定不同的曝光位置對(duì)晶圓進(jìn)行曝光。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 所述光刻掩模版的尺寸介于光刻機(jī)所用掩膜版的最大允許尺寸和最小允許尺寸之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)光刻機(jī)上晶圓邊緣圖形失像的方法，其特征在于， 利用掃描電子顯微鏡檢測(cè)晶圓是否出現(xiàn)倒膠、圖像削尖或圖像缺失的缺陷。