[發明專利]RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法有效
| 申請號： | 201610064060.9 | 申請日： | 2016-01-29 |
| 公開（公告）號： | CN105529258B | 公開（公告）日： | 2019-04-09 |
| 發明（設計）人： | 蔡瑩 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | rfldmos 工藝 穩定 柵極 形貌 方法 | ||
1.一種RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：
1）在P型輕摻雜外延層上生長一層柵氧化硅形成柵氧層；通過光刻刻蝕使該RFLDMOS的漏端有厚柵氧而源端有薄柵氧；
2）在柵氧層上淀積一層多晶硅形成多晶硅柵；
3）先通過第一次光刻，定義出器件柵極的源端，進行第一次刻蝕，該第一次光刻、刻蝕在器件柵極源端一側進行；
在第一次光刻、第一次刻蝕時，器件柵極源端一側保留一條多晶硅虛擬線；
該虛擬線位于該厚柵氧區，且長度比該厚柵氧區?。?/p>
去除光刻膠，形成柵極的一半；
4）再進行第二次光刻，定義出器件柵極的另一端，再進行第二次刻蝕，在光刻中，不僅打開漏端，而且打開虛擬線；去除光刻膠。
2.如權利要求1所述的RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，在步驟2）中，所述多晶硅柵的厚度為0.25～0.35μm。
3.如權利要求1所述的RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，所述虛擬線的長度比該厚柵氧區的長度小0.2～0.4μm。
4.如權利要求1所述的RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，所述虛擬線的長度比該厚柵氧區的長度小0.3μm。
5.如權利要求1所述的RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，所述虛擬線的長度不小于0.5μm。
6.如權利要求1所述的RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，打開虛擬線時，其打開的長度大于虛擬線的長度。
7.如權利要求6所述的RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，打開虛擬線時，所述打開長度每側比虛擬線多出0.05～0.3μm。
8.如權利要求7所述的RFLDMOS工藝中穩定柵極形貌的工藝方法，其特征在于，打開虛擬線時，所述打開長度每側比虛擬線多出0.15μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
