[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的切割方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610063880.6
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105575898B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林曉文;高百卉
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L33/00;B23K26/38
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管的切割方法，其特征在于，所述切割方法包括：

將晶元的第一表面粘附在第一膠膜上，所述晶元包括Si襯底、設(shè)置在所述Si襯底的第一表面的P型電極、以及依次層疊在所述Si襯底的第二表面的鍵合層、電流擴(kuò)展層、P型限制層、多量子阱層、N型限制層、N型電極，所述Si襯底的第二表面為與所述Si襯底的第一表面相反的表面，所述晶元的第一表面為設(shè)置有所述P型電極的表面；

對所述晶元的第二表面進(jìn)行激光切割，所述晶元的第二表面為與所述晶元的第一表面相反的表面；

去除所述第一膠膜，將所述晶元的第二表面粘附在第二膠膜上；

對所述晶元的第一表面進(jìn)行激光切割；

對所述晶元的第一表面進(jìn)行劈裂，得到若干獨(dú)立的發(fā)光二極管芯片；

所述對所述晶元的第二表面進(jìn)行激光切割，包括：

對所述晶元的第二表面進(jìn)行兩次激光切割；

其中，第一次激光切割的功率大于第二次激光切割的功率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割方法，其特征在于，對所述晶元的第二表面進(jìn)行激光切割的深度為所述晶元的厚度的15％～20％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，對所述晶元的第一表面進(jìn)行激光切割的深度為所述晶元的厚度的40％～50％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，所述第一膠膜包括聚氯乙烯PVC基材和亞克力系粘著劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，所述第二膠膜包括聚氯乙烯PVC基材和亞克力系粘著劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，在所述對所述晶元的第二表面進(jìn)行激光切割之前，所述切割方法還包括：

在所述晶元的第二表面上涂上激光切割保護(hù)膠。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的切割方法，其特征在于，所述激光切割保護(hù)膠包括聚乙烯醇。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的切割方法，其特征在于，在所述對所述晶元的第一表面進(jìn)行劈裂之前，所述切割方法還包括：

在所述晶元的第一表面覆蓋聚對苯二甲酸乙二酯PET薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的切割方法，其特征在于，所述PET薄膜與所述晶元的第一表面相貼的表面涂有硅油。