[發(fā)明專利]一種石斛超低溫保存脫毒的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610062743.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105706922B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹樺;李涵;李紳崇;聞?dòng)阑?/a>;趙培飛;楊維;李慧敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 云南省農(nóng)業(yè)科學(xué)院花卉研究所;云南集創(chuàng)園藝科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | A01H4/00 | 分類號(hào): | A01H4/00 |
| 代理公司: | 昆明正原專利商標(biāo)代理有限公司53100 | 代理人: | 徐玲菊,于洪 |
| 地址: | 650205 *** | 國(guó)省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 石斛 超低溫 保存 脫毒 方法 | ||
1.一種石斛超低溫保存脫毒的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟(1),選擇1月苗齡的帶有CyMV和ORSV病毒的石斛組培苗,取石斛組培苗帶有單芽的莖段1.0-1.5cm,接種到基本培養(yǎng)基上,在4℃黑暗條件下煉苗3-5周;所述1月苗齡是繼代培養(yǎng)1月的石斛組培苗,苗高度為2-3cm;
所述基本培養(yǎng)基為:1/2MS+30g/L蔗糖+7g/L瓊脂,pH5.8;
步驟(2),從步驟(1)所煉的苗上剝?nèi)?-3mm長(zhǎng)的莖尖,然后將莖尖在4℃黑暗條件下預(yù)培養(yǎng)1-3d;接著在超凈工作臺(tái)上,采用高糖加載液對(duì)莖尖加載20-40min后,將莖尖轉(zhuǎn)移到玻璃化溶液PVS2中脫水30-60min,再將莖尖投入液氮中保存30min-1h,之后將莖尖在室溫下迅速轉(zhuǎn)入卸載液中解凍并卸載20-30min,或是將莖尖在37℃水浴中解凍3-4min再轉(zhuǎn)入卸載液中卸載20-30min,卸載后的莖尖接種到成活培養(yǎng)基上,先暗培養(yǎng)1-3d,后轉(zhuǎn)入正常光照下繼續(xù)培養(yǎng),獲得石斛脫毒苗;
所述預(yù)培養(yǎng)的培養(yǎng)基為:1/2MS+0.3-0.6mol/L蔗糖+7g/L瓊脂,pH5.8;
所述加載和脫水過(guò)程都在冰上進(jìn)行;
所述高糖加載液為:1/2MS+2mol/L甘油+0.3-0.7mol/L蔗糖,pH5.8;
所述玻璃化溶液PVS2為:1/2MS+0.4mol/L蔗糖+30%w/v甘油+15%w/vDMSO,pH5.8;
所述卸載液為:1/2MS+1.2mol/L蔗糖,pH5.8;
所述成活培養(yǎng)基為:1/2MS+0.1-0.2ml/L NAA+0.1-2.0ml/L 6-BA+50g/L馬鈴薯+25g/L香蕉+7g/L瓊脂,pH5.8;
所述正常光照培養(yǎng)是在溫度25±1℃、光照強(qiáng)度1000-2000lx、光照12h/d的條件下進(jìn)行培養(yǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石斛超低溫保存脫毒的方法,其特征在于,步驟(2)中在體視顯微鏡下剝?nèi)?-3mm長(zhǎng)的莖尖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石斛超低溫保存脫毒的方法,其特征在于,將莖尖投入液氮中保存時(shí)采用小滴玻璃化法或玻璃化法。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石斛超低溫保存脫毒的方法,其特征在于,所述的小滴玻璃化法是將鋁箔紙剪成(0.8-1)cm×(2-2.2)cm長(zhǎng)條形的鋁箔條,將經(jīng)PVS2脫水處理后的莖尖放到鋁箔條光滑的一面上,向莖尖上滴加PVS2,使莖尖完全包裹于PVS2溶液小滴中,然后將鋁箔條直接浸入液氮中進(jìn)行冷凍,冷凍后將鋁箔條裝入凍存管中,擰緊蓋子,最后投入液氮中保存。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石斛超低溫保存脫毒的方法,其特征在于,所述的玻璃化法是將經(jīng)PVS2脫水處理后的莖尖放入冷凍管中,向冷凍管加入PVS2使莖尖浸泡在PVS2中,蓋緊蓋子后直接將冷凍管投入液氮中保存。
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