[發明專利]高比功率GaAs多結柔性薄膜太陽電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201610062060.5 | 申請日: | 2016-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN105552140B | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發明(設計)人: | 吳洪清;米萬里;曹來志;張永;張雙翔;徐培強;李俊承;韓效亞 | 申請(專利權)人: | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18;H01L21/683 |
| 代理公司: | 揚州市錦江專利事務所32106 | 代理人: | 江平 |
| 地址: | 225009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 gaas 柔性 薄膜 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及砷化鎵多結柔性太陽電池生產技術領域。
背景技術
我國的太陽電池發展迅速,其中GaAs太陽電池為航天事業承擔著重要角色。目前GaAs多結太陽電池主要有以Ge和GaAs為襯底正裝多結太陽電池,以及倒置結構的多結太陽電池,其中倒置多結太陽電池因為各結電池帶隙較好的匹配全光譜,有助于太陽光吸收,使得其光電轉換效率始終遠遠領先于其它太陽電池,備受人們的青睞。倒裝太陽電池雖然轉換效率較高,但因鍵合在Si片上,電池片的重量也不輕,導致重量比功率并不理想;加之使用襯底是剛性材料,應用范圍局限于平整的基板。對于太陽電池空間來說,其中一種重要指標就是重量比功率,所以具有較高質量比功率的柔性太陽電池成為當前研究的一大熱點。
如圖1所示,現有的太陽電池生產步驟如下:
1、外延生長:
采用MOCVD設備在GaAs襯底上依次生長N型GaAs的緩沖層、GaInP腐蝕截止層、N型GaAs接觸層、GaInP頂電池、第一隧穿結、GaAs中電池、第二隧穿結、InGaAs底電池和P型InGaAs接觸層完成外延片24的生長。
2、襯底轉移:
在電池外延片24的底電池背部和導電類型為P型的轉移Si襯底22正面,分別通過電子束依次蒸鍍Ti、Pt和Au層,再將蒸鍍完電池外延片24與轉移Si襯底22通過金屬鍵合層23進行金屬鍵合。
3、襯底剝離:
采用氨水、雙氧水腐蝕液去除金屬鍵合后的電池外延結構上的GaAs襯底。
4、電極制作:
采用負性光刻膠工藝光刻電極柵線圖形,用電子束和熱阻真空蒸鍍的方式,在頂電池歐姆接觸層上制備金屬電極,并通過有機剝離將完成上電極26制作;在轉移Si襯底22背面蒸鍍制備下電極21。
5、減反射膜:
將完成選擇性腐蝕的電池片,采用電子束蒸鍍的方法蒸鍍TiO2/Al203雙層減反射膜25。
6、退火、劃片、端面處理完成倒裝太陽電池芯片制作。
這種GaInP/GaAs/InGaAs倒裝三結太陽電池目前效率最高的效率在32%左右,在光譜AM 0下,標準光強為136.7mw/cm2,輸出功率約為43.74 mw/cm2率;以面積12cm2的倒裝三結電池芯片為例,電池質量2.25g,質量比功率1945w/kg,已接近理論值,離3000w/kg空間需求還有一定距離。
若能將襯底去除或者采用較輕襯底替代,結果可想而知,重量將大幅降低,相應空間飛行器的發射和運載成本將會得到很好的改善。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明目的是提出一種能減輕電池體重量、具有柔韌彎曲,從而提高重量比功率和擴大應用范圍的GaAs多結柔性薄膜太陽電池。
本發明包括下電極,在下電極一側設置電池外延層,在電池外延層上設置上電極和減反射膜;所述電池外延層包括N型GaAs接觸層、GaInP頂電池、第一隧穿結、GaAs中電池、第二隧穿結、InGaAs底電池和P型InGaAs接觸層。
本發明產品僅上、下電極,加外延層和減反射膜,并無襯底支撐,具有較高的重量比功率和超薄性的特點,產品厚度僅約10~15μm上,且輸出功率互不影響、獨立工作。另外,具有彎曲的特性,可大大增加太陽電池的應用范圍。
進一步地,本發明在上電極和減反射膜上設置臨時保護層,在臨時保護層上設置臨時柔性載體。
臨時保護層的作用在于保護電池正面,避免因臨時載體粘附的膠層殘留在電池表面,影響柔性電池的表觀和電學特性。在臨時柔性載體只起到托運的作用,以確保在搬運過程中對產品的保護。使用時僅需通過簡單的操作即可去除臨時保護層和臨時柔性載體。
為了便于粘合和分離,同時,不影響產品的柔性和硬度,所述臨時柔性載體為UV膜、熱剝離膜、PET襯底、PI柔性襯底或PEN襯底中的任意一種。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





