[發明專利]一種發光二極管元件及其制備方法

有效

• 申請號: 201610061132.4
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105470358B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 尋飛林;張家宏;林兓兓;李政鴻
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管元件，包括襯底、N型半導體層、發光層和P型半導體層，其特征在于：所述發光層的一側或者兩側具有一避免發光二極管元件內部形成微型n-p-n結或p-n-p結的阻隔層，所述阻隔層的摻雜類型與相鄰N型半導體層或P型半導體層相同；所述阻隔層由濃度為1×10¹⁷~5×10¹⁷cm^-3的低摻雜層和濃度大于5×10¹⁷cm^-3的高摻雜層依次交替堆疊而成；所述阻隔層用于防止發光二極管元件在工作中出現電壓回轉現象造成的開/關延遲效應。

2.根據權利要求1所述的一種發光二極管元件，其特征在于：所述低摻雜層的雜質濃度低于相鄰的所述N型半導體層或P型半導體層。

3.根據權利要求1所述的一種發光二極管元件，其特征在于：所述低摻雜層與高摻雜層厚度比例為 2:1~100:1。

4.根據權利要求1所述的一種發光二極管元件，其特征在于：所述高摻雜層的雜質濃度為5×10¹⁸~5×10²⁰ cm^-3。

5.根據權利要求1所述的一種發光二極管元件，其特征在于：所述低摻雜層的厚度為20~500nm。

6.一種發光二極管元件的制備方法，其特征在于：所述方法包括，

提供一襯底；

在所述襯底上沉積N型半導體層；

在所述N型半導體層上沉積發光層和P型半導體層；

其中，于所述發光層的一側或者兩側沉積一避免發光二極管元件內部形成微型n-p-n結或p-n-p結的阻隔層，所述阻隔層的摻雜類型與相鄰的N型半導體層或P型半導體層相同，所述阻隔層由濃度為1×10¹⁷~5×10¹⁷cm^-3的低摻雜層和濃度大于5×10¹⁷cm^-3的高摻雜層依次交替堆疊而成；所述阻隔層用于防止發光二極管元件在工作中出現電壓回轉現象造成的開/關延遲效應。

7.根據權利要求6所述的一種發光二極管元件的制備方法，其特征在于：所述低摻雜層的雜質濃度低于相鄰的所述N型半導體層或P型半導體層。

8.根據權利要求6所述的一種發光二極管的制備方法，其特征在于：所述高摻雜層的摻雜濃度為5×10¹⁸~5×10²⁰cm^-3。

9.根據權利要求6所述的一種發光二極管元件的制備方法，其特征在于：所述阻隔層的沉積溫度為700~1100℃。

10.根據權利要求6所述的一種發光二極管元件的制備方法，其特征在于：所述阻隔層的沉積壓力為20~200torr。