[發明專利]TFT陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201610060834.0
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN105655391B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 李安石
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L27/12;H01L21/28;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板(100)、設于所述襯底基板(100)上的遮光層(200)、覆蓋所述遮光層(200)及襯底基板(100)的緩沖層(300)、對應所述遮光層(200)上方設于所述緩沖層(300)上的多晶硅半導體層(400)、覆蓋所述多晶硅半導體層(400)及緩沖層(300)的柵極絕緣層(500)、對應所述多晶硅半導體層(400)上方設于所述柵極絕緣層(500)上的柵極(600)、覆蓋所述柵極(600)及柵極絕緣層(500)的層間絕緣層(700)、設于所述層間絕緣層(700)上的源極(801)與漏極(802)、覆蓋所述源極(801)、漏極(802)、及層間絕緣層(700)的平坦層(900)、設于所述平坦層(900)上的公共電極(1000)、設于所述公共電極(1000)上的保護層(1100)、以及設于所述保護層(1100)上方的像素電極(1200)；

所述源極(801)與漏極(802)均包括自下而上層疊設置的第一鉬層(811)、第一鋁層(812)、第二鋁層(813)、及第二鉬層(814)，其中，所述第一鉬層(811)的表面平滑，所述第一鋁層(812)與第二鋁層(813)的表面均分布有多個毛刺(8120)，且所述第二鋁層(813)上的毛刺(8120)的高度大于所述第一鋁層(812)上的毛刺(8120)的高度，所述第二鉬層(814)的表面平滑，其包覆于所述第二鋁層(813)的毛刺(8120)上，使所述第二鋁層(813)的毛刺(8120)的鋒利度降低，最終使所述源極(801)與漏極(802)的上表面呈現為凹凸不平的粗糙表面；

所述像素電極(1200)通過貫穿所述保護層(1100)、公共電極(1000)、以及平坦層(900)的過孔(901)與所述漏極(802)的上表面相接觸。

2.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述源極(801)和漏極(802)分別通過貫穿層間絕緣層(700)和柵極絕緣層(500)的過孔(703)與多晶硅半導體層(400)的兩端相接觸。

3.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述遮光層(200)的材料為鉬。

4.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述緩沖層(300)包括自下而上層疊設置的第一氮化硅層(301)和第一氧化硅層(302)；

所述柵極絕緣層(500)包括自下而上層疊設置的第二氧化硅層(501)和第二氮化硅層(502)；

所述層間絕緣層(700)包括自下而上層疊設置的第三氮化硅層(701)和第三氧化硅層(702)；

所述保護層(1100)的材料為氮化硅。

5.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述像素電極(1200)與公共電極(1000)的材料均為ITO。