[發明專利]一種調節空氣或氧氣流量的方法

在審

• 申請號: 201610060755.X
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105713668A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 王萬利
• 申請（專利權）人: 王萬利
• 主分類號: C10J3/00
• 分類號: C10J3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及煤氣的生產方法。

背景技術

現有技術中，沒有空氣或氧氣流量變化與氧化層的關系，一次調 節空氣或氧氣流量，煤氣壓力變化不大于20Pa，煤氣產量變化速度 慢。調節空氣或氧氣流量的時間不確定，常降低氣化效率。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術的不足，提供一種調節空氣或氧氣 流量的方法。

為實現上述目的，采用下述技術方案，其特征是，包括：

增加空氣、氧氣流量，煤氣壓力每上升10Pa，氧化層下降 15-28mm(本發明沒有特別說明，氧化層指正在發生氧化層化學反應 的燃料層，消耗大部分氧氣，氧化層長度60-120mm，煤氣壓力的測 量點在煤氣爐煤氣出口)；

減少空氣、氧氣流量，煤氣壓力每下降10Pa，氧化層上升 15-28mm。

提高飽和溫度2-8℃，氧化層上升60-160mm，小于、等于氧化 層長度，或大于氧化層長度60mm之內，1-4min，氧化層溫度升至 950-1250℃；增加空氣、氧氣流量，煤氣壓力增加30-60Pa，氧化層 下降60-160mm，小于、等于氧化層長度，或大于氧化層長度60mm 之內，還原層下降距離等于氧化層下降距離，開始還原層溫度 950-1250℃，提高水蒸汽分解率，單段爐9-11min，兩段爐13-16min， 飽和溫度降低1-6℃，還原層溫度降低100-500℃；單段爐2-5min， 兩段爐4-10min，水套注軟化水，降水溫；氧化層上升距離等于氧化 層下降距離，或氧化層上升距離大于氧化層下降距離30mm之內，作 用，一次大幅度增加空氣、氧氣流量，增加煤氣產量，增加水蒸汽分 解量，減少蒸汽壓力降低改變氧化層循環位置。

減少空氣、氧氣流量，煤氣壓力減少30-60Pa，氧化層上升 60-160mm，小于、等于氧化層長度，或大于氧化層長度60mm之內， 1-4min，氧化層溫度升至950-1250℃；降低飽和溫度2-8℃，氧化層 下降60-160mm，小于、等于氧化層長度，或大于氧化層長度60mm 之內，還原層下降距離等于氧化層下降距離，開始還原層溫度 950-1250℃，提高水蒸汽分解率，單段爐9-11min，兩段爐13-16min， 還原層溫度降低100-500℃；減少和消除蒸汽壓力增長，單段爐 2-5min，兩段爐4-10min；氧化層上升距離等于氧化層下降距離，或 氧化層上升距離小于氧化層下降距離30mm之內，作用，一次大幅度 增加煤氣使用量，增加水蒸汽分解量，減少蒸汽壓力增長改變氧化層 循環位置。

氧化層循環的第二環節是氧化層下降過程的中前部，單段爐氧化 層下降6min后，兩段爐氧化層下降10min后，包括氧化層循環的第 三環節，第三環節是氧化層下降過程的后部，降低飽和溫度0.5-3℃， 氧化層下降10-50mm，還原層下降10-50mm，溫度升高，提高水蒸 汽分解率，2min之內；減少空氣、氧氣流量，煤氣壓力減少5-20Pa， 氧化層上升10-50mm，還原層上升10-50mm，溫度降低，降低水蒸 汽分解率；氧化層下降距離基本等于氧化層上升距離，作用，小幅度 減少空氣、氧氣流量，減少煤氣產量，增加水蒸汽分解量，減少或消 除適當的氧化層循環位置上升，節約煤2-5％。

氧化層循環的第二環節，單段爐氧化層下降6min后，兩段爐氧 化層下降10min后，包括氧化層上下循環的第三環節，氧化層下降過 程的后部，增加空氣、氧氣流量，煤氣壓力增加5-20Pa，氧化層下降 10-50mm，還原層下降10-50mm，溫度升高，提高水蒸汽分解率；下 一個氧化層循環周期，氧化層上下循環的第一環節，氧化層上升30s 內，提高飽和溫度0.5-3℃，氧化層上升10-50mm，還原層上升 10-50mm，溫度降低，降低水蒸汽分解率；氧化層下降距離基本等于 氧化層上升距離，作用，小幅度增加空氣、氧氣流量，增加煤氣產量， 增加水蒸汽分解量，減少或消除適當的氧化層循環位置下降，氣化效 率穩定。

增加空氣、氧氣流量后，3個氧化層循環周期內，升高蒸汽壓力， 降低飽和溫度，確定適當的氧化層循環位置，提高氣化效率。

減少空氣、氧氣流量后，3個氧化層循環周期內，降低蒸汽壓力， 提高飽和溫度，確定適當的氧化層循環位置，提高氣化效率。