[發(fā)明專(zhuān)利]液晶顯示面板及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610058376.7
• 申請(qǐng)日: 2016-01-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105527769A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李文輝;史文;石龍強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括薄膜晶體管及設(shè)置在所述薄膜晶體管表面的柵極引 出部、源極引出部及漏極引出部，所述柵極引出部與所述薄膜晶體管的柵極電連接， 所述源極引出部與所述薄膜晶體管的源極電連接，所述漏極引出部與所述薄膜晶體管 的漏極電連接，所述柵極引出部、源極引出部及漏極引出部可與外部測(cè)試裝置連接， 以監(jiān)測(cè)所述薄膜晶體管的電性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述源極引出部或漏極引出部其中之 一為像素電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極引出部穿過(guò)由薄膜晶體管表 面貫穿至柵極的第一通孔與所述柵極電連接，所述源極引出部穿過(guò)由薄膜晶體管表面 貫穿至源極的第二通孔與所述源極電連接，所述漏極引出部穿過(guò)由薄膜晶體管表面貫 穿至漏極的第三通孔與所述漏極電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管包括所述柵極、覆蓋 所述柵極的第一絕緣層、設(shè)置在所述第一絕緣層表面的半導(dǎo)體層，與所述半導(dǎo)體層接 觸的所述源極和漏極，覆蓋所述第一絕緣層、源極和漏極及半導(dǎo)體層的第二絕緣層， 所述柵極引出部、源極引出部及漏極引出部設(shè)置在所述第二絕緣層表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵極引出部、源極引出部及漏極 引出部由氧化銦錫材料制成。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括多個(gè)權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。

8.一種監(jiān)測(cè)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的電性的方法，其特征在于，采用測(cè)試裝置分別 電連接至柵極引出部、源極引出部及漏極引出部，并對(duì)柵極、源極及漏極進(jìn)行電學(xué)測(cè) 量，以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)柵極、源極和漏極的電性。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述測(cè)試裝置具有多個(gè)探針，所述探針?lè)? 別與所述柵極引出部、源極引出部及漏極引出部接觸，以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)柵極、源極和漏極 的電性。