[發明專利]TFT陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201610058332.4
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN105514122A
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: 李金明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;侯藝

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板包括：

基底；

半導體層，形成在基底上；

像素電極，形成在基底上以與半導體層位于同一層上；

柵極絕緣層，形成在半導體層上；

柵電極，形成在柵極絕緣層上；

層間絕緣層，形成在基底上以覆蓋柵極絕緣層、柵電極和像素電極；

源電極，設置在層間絕緣層上并電連接到半導體層；

漏電極，設置在層間絕緣層上并電連接半導體層和像素電極。

2.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，層間絕緣層包括氮 化硅層，或者包括以從下到上依次形成的氧化硅層和氮化硅層的復合層。

3.根據權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基 板還包括：

鈍化層，形成在層間絕緣層上以覆蓋源電極和漏電極；

共電極，形成在鈍化層上。

4.一種制造TFT陣列基板的方法，其特征在于，所述方法包括：

在基底上形成半導體層；

在半導體層上形成柵極絕緣層，柵極絕緣層覆蓋半導體層的一部分；

在柵極絕緣層上形成柵電極；

在半導體層上形成層間絕緣層以覆蓋柵極絕緣層和柵電極，其中，層間絕 緣層包括氮化硅層；

對層間絕緣層執行退火工藝以使層間絕緣層中的氫擴散到半導體層中，以 在半導體層的未被柵極絕緣層覆蓋的部分處形成像素電極；

在層間絕緣層和柵極絕緣層上形成用于暴露半導體層的接觸孔，并且在層 間絕緣層上形成用于暴露像素電極的開口；

在層間絕緣層上形成源電極和漏電極，其中，源電極經接觸孔電連接到半 導體層，漏電極經接觸孔和開口電連接半導體層和像素電極。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，形成半導體層的步驟包括： 在基底上沉積金屬氧化物，利用退火工藝對金屬氧化物活化，之后執行黃光工 藝和刻蝕工藝來形成具有預定圖案的半導體層。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，形成柵極絕緣層的步驟包括： 在半導體層上沉積絕緣層，之后執行黃光工藝和刻蝕工藝來形成具有預定圖案 的柵極絕緣層，其中，絕緣層包括氮化硅層的單層或者包括以從下到上依次沉 積的氧化硅層和氮化硅層的復合層。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，形成柵電極的步驟包括：在 柵極絕緣層上沉積金屬層，并對金屬層執行黃光工藝和刻蝕工藝以形成具有預 定圖案的柵電極。

8.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，層間絕緣層還包括氧化硅層， 其中，以從下到上的順序依次沉積氮化硅層和氧化硅層。

9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在層間絕緣層上形成鈍化層以覆蓋源電極和漏電極；

在鈍化層上形成共電極。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，形成共電極的步驟包括： 在鈍化層上沉積電極層，之后執行黃光工藝和刻蝕工藝來得到具有預定圖案的 共電極。