[發明專利]一種TFT基板、顯示裝置以及制造方法

在審

• 申請號: 201610057342.6
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN105679769A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 韓佰祥
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/28
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種TFT基板，其特征在于，包括基板以及形成在所述基板上 的第一TFT結構和第二TFT結構，其中所述第一TFT結構包括第一柵 極圖案和第一半導體圖案，所述第一半導體圖案劃分為第一溝道區以及 位于所述第一溝道區兩側的第一摻雜區和第二摻雜區，其中，所述第一 溝道區與所述第一柵極圖案對應設置，進而能夠在所述第一柵極圖案的 作用下形成第一導電溝道，所述第一摻雜區延伸至所述第二TFT結構內 并作為所述第二TFT結構的第二柵極圖案。

2.根據權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第二TFT 結構進一步包括第二半導體圖案，所述第二半導體圖案劃分為第二溝道 區以及位于所述第二溝道區兩側的第三摻雜區和第四摻雜區，所述第二 溝道區與所述第一摻雜區延伸至所述第二TFT結構內的部分對應設置， 進而能夠在所述第一摻雜區的作用下形成第二導電溝道。

3.根據權利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一溝道 區與所述第一柵極圖案至少部分設置，所述第二溝道區與所述第一摻雜 區延伸至所述第二TFT結構內的部分至少部分重疊設置。

4.根據權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述第一半導 體圖案和第二半導體圖案在長度方向彼此垂直，以使得所述第三摻雜區 和第四摻雜區在所述基板上的投影分別位于所述第一摻雜區在所述基 板上的投影的兩側。

5.根據權利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一柵極 圖案位于所述基板與所述第一半導體圖案之間，所述第一TFT結構和第 二TFT結構進一步包括用于間隔所述第一柵極圖案與所述第一半導體 圖案的第一絕緣層、用于間隔所述第一半導體圖案與所述第二半導體圖 案的第二絕緣層以及用于覆蓋所述第二半導體圖案和所述第二絕緣層 的第三絕緣層；

所述第一TFT結構進一步包括形成于所述第三絕緣層上的第一源 極/漏極圖案，所述第一TFT結構進一步設置有貫穿所述第三絕緣層和 所述第二絕緣層的第一通孔，所述第一源極/漏極圖案經所述第一通孔與 所述第二摻雜區電性接觸；

所述第二TFT結構進一步包括形成于所述第三絕緣層上的第二源 極/漏極圖案和第三源極/漏極圖案；所述第二TFT結構進一步設置有貫 穿所述第三絕緣層的第二通孔和第三通孔，所述第二源極/漏極圖案和第 三源極/漏極圖案分別經所述第二通孔和第三通孔與所述第三摻雜區和 第四摻雜區電性接觸。

6.根據權利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述第一柵極 圖案位于所述第一半導體圖案遠離所述基板的一側，所述第一TFT結構 和第二TFT結構進一步包括用于間隔所述第一柵極圖案與所述第一半 導體圖案的第一絕緣層、用于間隔所述第一柵極圖案與所述第二半導體 圖案的第二絕緣層以及用于覆蓋所述第二半導體圖案和所述第二絕緣 層的第三絕緣層；

所述第一TFT結構進一步包括形成于所述第三絕緣層上的第一源 極/漏極圖案，所述第一TFT結構進一步設置有貫穿所述第三絕緣層、 所述第二絕緣層和所述第一絕緣層的第一通孔，所述第一源極/漏極圖案 經所述第一通孔與所述第二摻雜區電性接觸；

所述第二TFT結構進一步包括形成于所述第三絕緣層上的第二源 極/漏極圖案和第三源極/漏極圖案；所述第二TFT結構進一步設置有貫 穿所述第三絕緣層的第二通孔和第三通孔，所述第二源極/漏極圖案和第 三源極/漏極圖案分別經所述第二通孔和第三通孔與所述第三摻雜區和 第四摻雜區電性接觸。

7.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括根據權利要求 1-6任意一項所述的TFT基板。