[發明專利]半導體器件結構及其制備方法、半導體器件版圖結構

有效

• 申請號: 201610057020.1
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN107017243B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 林贊誠
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種半導體器件結構，其特征在于，包括：

半導體襯底；

對稱器件結構，設置于所述半導體襯底上；

呈非對稱圖案的器件結構，分布于所述半導體襯底上且臨近所述對稱器件結構；

多晶硅虛擬結構，對應所述呈非對稱圖案的器件結構且臨近所述對稱器件結構設置于所述半導體襯底上，以提升制備所述對稱器件結構的對稱性。

2.如權利要求1所述的半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件為功率放大器或運算放大器。

3.如權利要求2所述的半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件為功率放大器時，所述對稱器件結構為鏡像電流源。

4.如權利要求2所述的半導體器件結構，其特征在于，所述半導體器件為運算放大器時，所述對稱器件結構為差動對器件。

5.一種半導體器件版圖結構，其特征在于，包括：

對稱器件結構版圖區；

非對稱圖案版圖區，設置于臨近所述對稱器件結構版圖區的位置處；

多晶硅虛擬結構版圖區，對應所述非對稱圖案版圖區設置于臨近所述對稱器件結構版圖區的位置處，以提升采用對稱器件結構版圖區制備的對稱器件結構的對稱性。

6.如權利要求5所述的半導體器件版圖結構，其特征在于，所述半導體器件版圖結構為功率放大器版圖結構或運算放大器版圖結構。

7.如權利要求6所述的半導體器件版圖結構，其特征在于，所述半導體器件版圖結構為功率放大器版圖結構時，所述對稱器件結構版圖區為鏡像電流源版圖區。

8.如權利要求6所述的半導體器件版圖結構，其特征在于，所述半導體器件版圖結構為運算放大器版圖結構時，所述對稱器件結構版圖區為差動對器件版圖區。

9.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半導體襯底；

于所述半導體襯底上制備具有非對稱圖案的器件結構；

對應所述非對稱圖案于所述半導體襯底上制備多晶硅虛擬結構；

在所述半導體襯底上于臨近所述多晶硅虛擬結構的位置處制備對稱器件結構，以利用所述多晶硅虛擬結構提升制備的所述對稱器件結構的對稱性。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體器件為功率放大器或運算放大器。