[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201610056968.5 | 申請日: | 2016-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN105575894B | 公開(公告)日: | 2018-11-02 |
| 發明(設計)人: | 文江鴻;齊智堅;張智;唐滔良;陳帥;王志會;錢謙;唐秀珠;茍中平;陳剛 | 申請(專利權)人: | 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 400714 重慶市北碚區*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成第一導電圖形;
在形成有所述第一導電圖形的基板上形成包括有過孔的絕緣層,所述過孔處暴露出至少部分所述第一導電圖形;
將形成有所述絕緣層的基板沉浸在金屬鹽溶液中;
向所述第一導電圖形輸入電信號,使得過孔處的金屬鹽溶液在接觸到所述第一導電圖形后,金屬鹽溶液中的金屬離子被還原而沉積在所述過孔處形成導電連接部;
所述陣列基板上形成有與所述第一導電圖形連接的信號輸入端,所述向所述第一導電圖形輸入電信號包括:
向所述信號輸入端輸入電信號。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述向所述信號輸入端輸入電信號包括:
將供電結構的探針與所述信號輸入端連接,向所述信號輸入端輸入電流,其中,所述探針未與所述信號輸入端接觸的部分包裹有隔離層,所述隔離層用于隔絕所述探針與所述金屬鹽溶液的接觸。
3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,向所述信號輸入端輸入電流包括:
向所述信號輸入端輸入大小可調節的電流,進而控制所述過孔處金屬離子的沉積速率。
4.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,形成所述導電連接部之后,所述方法還包括:
在所述絕緣層上形成第二導電圖形,所述第二導電圖形與過孔處的所述導電連接部連接。
5.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述陣列基板上形成有多個薄膜晶體管,所述第一導電圖形為薄膜晶體管的漏極,所述第二導電圖形為像素電極。
6.根據權利要求4所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述第一導電圖形為公共電極線,所述第二導電圖形為公共電極。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述金屬鹽溶液包括銀離子溶液。
8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述銀離子溶液為銀氨溶液或銀離子的螯合物溶液。
9.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述銀離子溶液中,銀離子的濃度為0.05mol/L~1mol/L。
10.一種陣列基板,其特征在于,為采用權利要求1-9中任一項所述的制作方法制作得到,所述陣列基板上形成有包括有過孔的絕緣層,所述過孔處形成有與第一導電圖形連接的導電連接部。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求10所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





