[發明專利]一種高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器

在審

• 申請號: 201610056482.1
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105743443A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 林俊明;章國豪;張志浩;余凱;黃亮
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21
• 代理公司: 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228
• 代理人: 劉媖

1.一種高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：該射頻功率放大器包括輸入匹配電路，輸出寬帶匹配電路，偏置電路A，偏置電路B，以及至少由兩個晶體管漏極源極相連堆疊起來的功率放大電路；其中，射頻信號源通過所述輸入匹配電路連接所述功率放大電路的最底層的晶體管的柵極，所述偏置電路B連接所述最底層晶體管的柵極；所述偏置電路A連接所述功率放大電路的除所述最底層晶體管的其余晶體管的柵極，所述其余晶體管的柵極通過連接柵極電容接地；所述其余晶體管的源極通過連接LC串聯電路接地；所述功率放大電路最上層的晶體管的漏極通過所述輸出寬帶匹配電路連接負載。

2.根據權利要求1所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：所述偏置電路A和偏置電路B由一個整合的偏置電路代替。

3.根據權利要求1所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：所述最底層晶體管的源極直接接地。

4.根據權利要求1所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：所述偏置電路B為電阻與晶體管組成的偏置電路，偏置電路A為電阻分壓式偏置電路。

5.根據權利要求1所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：所述功率放大電路中堆疊的晶體管的偏置電壓不等分，最上層晶體管的偏置電壓最低，最下層晶體管的偏置電壓最高，其余晶體管的偏置電壓介于兩者之間。

6.根據權利要求1所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：所述輸出寬帶匹配電路中設有二次諧波抑制電路。

7.根據權利要求1所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：電源經濾波電路連接到所述功率放大電路的最上層的晶體管的漏極。

8.根據權利要求7所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：所述濾波電路由濾波電容和扼流電感組成。

9.根據權利要求8所述的高線性度的堆疊結構的射頻功率放大器，其特征在于：所述濾波電路由低頻濾波電容、高頻濾波電容和扼流電感組成。