[發(fā)明專利]一種提拉法晶體生長的下晶溫度捕獲方法及自動捕獲設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610056034.1
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105603512B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王彪;朱允中;林少鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20
• 代理公司: 廣州駿思知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44425
• 代理人: 吳靜芝

1.一種提拉法晶體生長的下晶溫度捕獲方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)對盛放晶體材料的坩堝進(jìn)行加熱，使其以一定升溫速率恒速升溫至目標(biāo)溫度，所述目標(biāo)溫度高于晶體材料的熔點；控制對所述坩堝加熱的升溫速率為3-7℃/min；

(2)獲取升溫過程中的坩堝溫度隨時間變化所形成的曲線，選取曲線中斜率最大的點對應(yīng)的溫度為下晶溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下晶溫度捕獲方法，其特征在于：所述目標(biāo)溫度高于晶體材料的熔點20℃或高于晶體材料預(yù)判熔點20℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下晶溫度捕獲方法，其特征在于：監(jiān)測對坩堝加熱的加熱功率的隨時間的變化，以控制坩堝升溫速率。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下晶溫度捕獲方法，其特征在于：還包括步驟(3)，當(dāng)坩堝溫度達(dá)到目標(biāo)溫度時，保持坩堝恒定于目標(biāo)溫度，使晶體材料熔體組分混合均勻。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的下晶溫度捕獲方法，其特征在于：步驟(3)中，當(dāng)坩堝溫度達(dá)到目標(biāo)溫度時，保持坩堝恒定于目標(biāo)溫度1小時。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的下晶溫度捕獲方法，其特征在于：還包括步驟(4)，使坩堝溫度降低至下晶溫度，并恒定于下晶溫度，進(jìn)行下晶操作。

7.一種提拉法晶體生長的下晶溫度自動捕獲設(shè)備，其特征在于：包括爐體、坩堝、加熱裝置和下晶溫度獲取單元；所述坩堝設(shè)置于爐體的爐腔內(nèi)；所述加熱裝置設(shè)置于所述爐腔內(nèi)并對所述坩堝加熱；所述下晶溫度獲取單元與加熱裝置電連接，其獲得加熱裝置的實時加熱溫度，并繪制溫度隨時間變化的溫度曲線，選取溫度曲線中斜率最大的點對應(yīng)的溫度為下晶溫度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的下晶溫度自動捕獲設(shè)備，其特征在于：所述下晶溫度獲取單元包括溫度監(jiān)測模塊、溫度曲線繪制模塊和下晶溫度選取模塊；所述溫度監(jiān)測模塊和溫度曲線繪制模塊分別與加熱裝置電連接；所述溫度監(jiān)測模塊獲得加熱裝置實時的溫度并根據(jù)該當(dāng)前溫度控制該加熱裝置以一定的升溫速率恒速升溫至目標(biāo)溫度；所述溫度曲線繪制模塊根據(jù)溫度監(jiān)測模塊獲取的實時溫度繪制加熱裝置溫度隨時間變化曲線；所述下晶溫度選取模塊根據(jù)溫度曲線繪制模塊獲取的溫度隨時間變化曲線，選取變化曲線中斜率最大點對應(yīng)的溫度為下晶溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的下晶溫度自動捕獲設(shè)備，其特征在于：所述下晶溫度獲取單元還包括一功率監(jiān)測模塊，所述功率監(jiān)測模塊與加熱裝置電連接，所述功率監(jiān)測模塊根據(jù)坩堝溫度實時監(jiān)控加熱裝置的加熱功率。