[發明專利]一種含雜原子納米碳材料及其制備方法和應用以及一種烴脫氫反應方法

有效

• 申請號: 201610055780.9
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN107008244B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 李嘉權;榮峻峰;于鵬;謝婧新;史春風
• 申請（專利權）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油化工科學研究院
• 主分類號: B01J21/18
• 分類號: B01J21/18;B82Y30/00;C07C5/48;C07C11/08;C07C11/167
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 劉國平;顧映芬

1.含雜原子納米碳材料作為烴氧化脫氫反應的催化劑的應用，所述含雜原子納米碳材料含有氧元素、氫元素和碳元素，以所述含雜原子納米碳材料的總量為基準，以元素計，所述氧元素的含量為3-9重量％，所述氫元素的含量為0.1-3重量％，所述碳元素的含量為88-96.9重量％；所述含雜原子納米碳材料中過氧基團的濃度為0.1×10^-6mol/g至3×10^-6mol/g，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，由對應于C-O基團的譜峰確定的氧元素的含量與由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量的摩爾比值為大于2。

2.根據權利要求1所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料中過氧基團的濃度為0.2×10^-6mol/g至2.5×10^-6mol/g。

3.根據權利要求2所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料中過氧基團的濃度為0.3×10^-6mol/g至1.2×10^-6mol/g。

4.根據權利要求1-3中任意一項所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，以由X射線光電子能譜確定的所述含雜原子納米碳材料表面元素的總量為基準，由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量為0.1-3摩爾％。

5.根據權利要求4所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，以由X射線光電子能譜確定的所述含雜原子納米碳材料表面元素的總量為基準，由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量為0.3-2.8摩爾％。

6.根據權利要求5所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，以由X射線光電子能譜確定的所述含雜原子納米碳材料表面元素的總量為基準，由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量為0.4-2.7摩爾％。

7.根據權利要求6所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，以由X射線光電子能譜確定的所述含雜原子納米碳材料表面元素的總量為基準，由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量為0.5-2摩爾％。

8.根據權利要求1-3中任意一項所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，由對應于C-O基團的譜峰確定的氧元素的含量與由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量的摩爾比值為2-5：1。

9.根據權利要求8所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，由對應于C-O基團的譜峰確定的氧元素的含量與由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量的摩爾比值為2-4：1。

10.根據權利要求9所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，由對應于C-O基團的譜峰確定的氧元素的含量與由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量的摩爾比值為2-3.5：1。

11.根據權利要求1-3中任意一項所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量與由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量的摩爾比值為0.1-1：1。

12.根據權利要求11所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量與由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量的摩爾比值為0.2-0.8：1。

13.根據權利要求12所述的應用，其中，所述含雜原子納米碳材料的X射線光電子能譜圖譜中，由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量與由對應于基團的譜峰確定的氧元素的含量的摩爾比值為0.25-0.7：1。