[發明專利]一種菊花栽培方法

有效

• 申請號: 201610055569.7
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN105660127B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 王奎玲;郭霄;劉慶超
• 申請（專利權）人: 青島農業大學
• 主分類號: A01G2/10
• 分類號: A01G2/10;A01G22/00;A01G22/60
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 申傳曉

1.一種菊花栽培方法，其包括以下步驟：

A、采集插穗：當菊花之采穗母株周圍的孽芽長至15cm時，剪取孽芽上部帶頂芽且長度為10cm的枝條作為插穗；

B、整地做畦：選擇去年入冬前深耕的砂質壤土，在3月中下旬做高畦，畦高25-30cm，畦面寬30cm，兩畦間距90-100cm，做單行栽植；

C、畦面開溝：在畦面開溝，溝深15cm，溝底部夾角為30°-45°，往溝的中心部位澆水，并以沖不倒兩側溝堰為準；

D、溝底定植：當溝底水完全滲下后，選擇直徑粗于插穗的木棍，在溝底插孔，將插穗直接插入孔內，插穗入土深度約占插穗長度的2/3，株間距為10cm；

E、覆膜：在畦面覆蓋塑料薄膜，薄膜的兩端及兩側壓實；

F、揭膜：插穗定植與覆蓋塑料薄膜10天后，在塑料薄膜上用木棍進行不規則打孔，當70％以上插穗頂部葉片達到塑料薄膜下表面時，則漸次揭掉塑料薄膜，此時菊花幼苗根系已經發育完整；

G、平溝壅土：當菊花苗頂端葉片高于溝堰以上5cm時，向內平溝壅土，即轉入菊花正常的田間管理。

2.根據權利要求1所述的菊花栽培方法，其特征在于，在步驟A之前還包括：菊花開花期間標記對應采穗母株，待花謝后，距土面15cm處，將采穗母株平茬，平茬母株原地不動，澆足一次冬水，以落葉、草簾、薄膜或糠灰覆蓋防凍保暖，僅莖桿上端3cm外露，要保持對應采穗母株不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態。