[發明專利]一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201610055456.7
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN105742189B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 黃榮翠
• 申請（專利權）人: 青島中微創芯電子有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 合肥市科融知識產權代理事務所(普通合伙) 34126
• 代理人: 晉圣智

1.一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述氧化物半導體薄膜晶體管包括基板、柵介質層、溝道層、源電極和漏電極，其制備方法包括以下步驟：

⑴基板清洗：將基板用18~25%的氟化氫水溶液浸泡1~2min，然后用去離子水沖洗，沖洗完后加入水、過氧化氫和氨水的混合溶液中，蒸煮10~15min，溫度控制在75℃~85℃，用去離子水沖洗后加入到水、過氧化氫和鹽酸的混合溶液中，蒸煮10~15min，溫度控制在75℃~85℃，用去離水沖洗后再用氮氣吹干；

⑵柵介質層制備：將氮化爐溫度上升至1300℃~1400℃，然后通氮氣排雜，排雜的時間為15~20min，再通入純氮氣，然后將步驟⑴所得基板推入氮化爐中，氮化3~4h，冷卻后將氮化后的所得物取出，用20~25%的氟化氫溶液清洗，再用去離子水沖洗后烘干，備用；

⑶溝道層的制備：利用射頻磁控濺射法在柵介質層上制備氧化鋅薄膜；

⑷源電極和漏電極的制備：通過真空鍍膜的方法在步驟⑶制備的溝道層兩側形成源電極和漏電極，所述真空鍍膜過程中真空度小于5×10-3Pa。

2.根據權利要求1所述一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述基板為硅基板。

3.根據權利要求1所述一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述柵介質層為氮化硅。

4.根據權利要求1所述一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述源電極和漏電極為金屬鋁薄膜。

5.根據權利要求1所述一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述步驟⑴和⑵中，去離子水沖洗過程為若干次，直至沖洗后的去離子水PH值為7~8，結束沖洗過程。

6.根據權利要求1所述一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述溝道層中還摻雜有鎵、硅、鋁、鎂、鉭、鉿、鎳、鋯、錫、磷、釩、砷、鈦、鉛、鉀或鑭系稀土元素中的任意一種或兩種以上的任意組合。