[發(fā)明專利]分離式柵閃存結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610055047.7
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN105609506B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發(fā)明（設計）人: 安西琳;周俊;李赟
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/28
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種分離式柵閃存結構，其特征在于，包括：

襯底，設置有源區(qū)和漏區(qū)；

擦除柵，設置于所述源區(qū)之上；

分柵結構，設置于所述源區(qū)和漏區(qū)之間的所述襯底之上，所述分柵結構包括浮柵、控制柵以及包括一個水平部分和一個垂直部分的L形字線柵，且所述L形字線柵的水平部分的上表面低于所述浮柵的上表面；

其中，所述控制柵設置于所述浮柵和所述L形字線柵的水平部分之上，且部分位于所述L形字線柵的水平部分之上的所述控制柵的下表面低于所述浮柵的上表面使得所述控制柵與所述浮柵具有部分縱向交疊區(qū)域，以增加所述控制柵和所述浮柵的耦合面積。

2.如權利要求1所述的分離式柵閃存結構，其特征在于，所述L形字線柵的水平部分比所述控制柵的厚度薄180～220埃。

3.如權利要求1所述的分離式柵閃存結構，其特征在于，所述L形字線柵的材質(zhì)為多晶硅或金屬。

4.如權利要求1所述的分離式柵閃存結構，其特征在于，所述浮柵為方體結構，且所述浮柵臨近所述擦除柵的拐角設置為圓角。

5.如權利要求1所述的分離式柵閃存結構，其特征在于，所述分柵結構和所述擦除柵之間設置有遂穿氧化層。

6.如權利要求1所述的分離式柵閃存結構，其特征在于，所述L形字線柵和所述襯底之間設置有柵介質(zhì)層。

7.如權利要求6所述的分離式柵閃存結構，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的材質(zhì)為二氧化硅或高介電常數(shù)材料。