[發(fā)明專利]一種用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610054714.X
• 申請日: 2016-01-27
• 公開（公告）號: CN105679654A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設計）人: 胡思平;朱繼鋒
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝，其特征在于，包括步驟：

提供待鍵合晶圓，在所述待鍵合晶圓的表面形成阻擋層；

在所述阻擋層表面形成平坦層薄膜；

對所述平坦層薄膜進行平坦化處理，使所述待鍵合晶圓表面平坦；

采用鍵合工藝對所述待鍵合晶圓進行鍵合。

2.如權利要求1所述的用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝，其特征在 于，所述阻擋層為氮化硅。

3.如權利要求1所述的用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝，其特征在 于，所述平坦層薄膜為氧化硅。

4.如權利要求1所述的用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝，其特征在 于，所述待鍵合晶圓包括襯底、層間介質(zhì)層及多個器件結構，所述層間介質(zhì)層 形成在所述襯底表面，所述器件結構形成在所述層間介質(zhì)層內(nèi)。

5.如權利要求4所述的用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝，其特征在 于，形成第一連接線，所述第一連接線貫穿過所述平坦層薄膜、阻擋層及層間 介質(zhì)層連接所述器件結構。

6.如權利要求5所述的用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝，其特征在 于，形成第二連接線，所述第二連接線貫穿過所述平坦層薄膜及阻擋層連接所 述第一連接線。

7.如權利要求6所述的用于混合式鍵合工藝的晶圓預處理工藝，其特征在 于，所述第一連接線和第二連接線為銅或鋁。