[發(fā)明專利]一種混合硬盤的緩存結(jié)構(gòu)及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610053854.5
• 申請(qǐng)日: 2016-01-26
• 公開（公告）號(hào): CN105739921A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 景蔚亮;陳邦明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新儲(chǔ)集成電路有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/06
• 分類號(hào): G06F3/06
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種混合硬盤的緩存結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括主硬盤和與之相連的主硬盤的緩存器，所述緩存器包括讀緩存器和寫緩存器，所述讀緩存器的數(shù)據(jù)讀性能優(yōu)于所述主硬盤，所述寫緩存器的數(shù)據(jù)寫性能遠(yuǎn)優(yōu)于所述讀緩存器和主硬盤，當(dāng)需對(duì)所述主硬盤進(jìn)行讀寫操作時(shí)，讀數(shù)據(jù)緩存于所述讀緩存器中，寫數(shù)據(jù)緩存于所述寫緩存器中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合硬盤的緩存結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主硬盤為機(jī)械硬盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合硬盤的緩存結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述讀緩存器為NAND存儲(chǔ)器。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的混合硬盤的緩存結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述NAND存儲(chǔ)器中包括單層單元型NAND芯片、雙層單元型NAND芯片、三層單元型NAND芯片、3D-NAND型芯片中的一種或多種存儲(chǔ)芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合硬盤的緩存結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述寫緩存器為相變存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器、阻變式存儲(chǔ)器或鐵電存儲(chǔ)器。

6.一種混合硬盤的緩存方法，包括根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的混合硬盤的緩存結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述方法包括將從主硬盤中讀取的數(shù)據(jù)先緩存到讀緩存器中，將寫回主硬盤的數(shù)據(jù)先緩存到寫緩存器中，通過所述讀緩存器和所述寫緩存器實(shí)現(xiàn)對(duì)所述主硬盤進(jìn)行讀寫操作。