[發(fā)明專利]一種基于正反饋的堆疊結(jié)構(gòu)的射頻功率放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610053833.3 | 申請日： | 2016-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN105515540B | 公開（公告）日： | 2019-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林俊明;章國豪;張志浩;余凱;黃亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H03F1/32 | 分類號： | H03F1/32;H03F1/42;H03F1/52;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司： | 廣州市南鋒專利事務(wù)所有限公司 44228 | 代理人： | 劉媖 |
| 地址： | 510090 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 正反饋 堆疊 結(jié)構(gòu) 射頻 功率放大器 | ||
1.一種基于正反饋的堆疊結(jié)構(gòu)的射頻功率放大器，其特征在于：該射頻功率放大器包括輸入匹配電路，輸出寬帶匹配電路，偏置電路A，偏置電路B，以及至少由兩個晶體管漏極源極相連堆疊起來的功率放大電路；其中，射頻信號源通過所述輸入匹配電路連接所述功率放大電路的最底層的晶體管的柵極，所述偏置電路B連接所述最底層晶體管的柵極；所述偏置電路A連接所述功率放大電路的除所述最底層晶體管的其余晶體管的柵極；所述其余晶體管的柵極和源極之間連接有反饋電容；所述功率放大電路最上層的晶體管的漏極通過所述輸出寬帶匹配電路連接負(fù)載；電源經(jīng)濾波電路連接到所述功率放大電路的最上層的晶體管的漏極；所述濾波電路由濾波電容和扼流電感組成；所述濾波電路由低頻濾波電容、高頻濾波電容和扼流電感組成；
所述偏置電路B為電阻與晶體管組成的偏置電路，偏置電路A為電阻分壓式偏置電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于正反饋的堆疊結(jié)構(gòu)的射頻功率放大器，其特征在于：所述偏置電路A和偏置電路B由一個整合的偏置電路代替。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于正反饋的堆疊結(jié)構(gòu)的射頻功率放大器，其特征在于：所述最底層晶體管的源極直接接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于正反饋的堆疊結(jié)構(gòu)的射頻功率放大器，其特征在于：所述輸出寬帶匹配電路中設(shè)有二次諧波抑制電路。
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