[發(fā)明專利]焙燒法制備二氧化錫納米粉體的工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610053656.9 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105645465A | 公開(公告)日: | 2016-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 易鑒榮;林荔琍;唐臻;吳堅(jiān);林荔珊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 柳州豪祥特科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01G19/02 | 分類號(hào): | C01G19/02;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 廣州凱東知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44259 | 代理人: | 李勤輝 |
| 地址: | 545000 廣西壯族自治區(qū)柳*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 焙燒 法制 氧化 納米 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及二氧化錫粉體的制備領(lǐng)域,具體說是焙燒法制備二氧化錫納米粉體的工藝。
背景技術(shù)
目前,納米二氧化錫已經(jīng)成為納米材料的研究熱點(diǎn)之一。二氧化錫納米粉體獲得高效而廣泛應(yīng)用的前提是采取可靠有效的工藝參數(shù)及制備方法對(duì)制備二氧化錫納米粉體的結(jié)構(gòu)、粒度、形貌、粒度分布等微觀特性進(jìn)行有目的的調(diào)控,進(jìn)而滿足其在特定領(lǐng)域的應(yīng)用要求;而提高二氧化錫納米粉體的各項(xiàng)應(yīng)用性能的有效途徑是制備粒徑較小的納米粉體。
通常納米粉體的粒徑對(duì)其光學(xué)性能有著顯著的影響,當(dāng)納米粉體粒徑小于20nm時(shí),納米粉體具有很好的光學(xué)性能,即量子尺寸效應(yīng)會(huì)影響納米粉體的光學(xué)性能,使光吸收譜發(fā)生藍(lán)移,半導(dǎo)體禁帶寬度增大。二氧化錫納米材料是少數(shù)幾種易于實(shí)現(xiàn)量子尺寸效應(yīng)的氧化物半導(dǎo)體之一,當(dāng)制備得到的二氧化錫粉體尺寸接近其波爾半徑時(shí),具有明顯的量子尺寸效應(yīng)。
現(xiàn)有有關(guān)二氧化錫納米粉體制備方法的研究很多,包括固相法、氣相法和液相法等,其中液相法具有成本低、反應(yīng)條件溫和、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),被廣泛采用。液相法制備二氧化錫納米微粒通常包括前驅(qū)體制備和晶化兩個(gè)步驟,而前軀體制備和晶化過程的工藝參數(shù)均對(duì)制備得到的產(chǎn)品性能有很大的影響。由于現(xiàn)有方法在工藝控制等方面存在較大欠缺,導(dǎo)致生產(chǎn)的二氧化錫納米粉體的產(chǎn)品性能欠佳。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問題,本發(fā)明提供一種生產(chǎn)粒徑較小的焙燒法制備二氧化錫納米粉體的工藝。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:焙燒法制備二氧化錫納米粉體的工藝,包括以下步驟:
(1)將SnCl4·5H2O溶于去離子水中配制成溶液;
(2)將上述溶液置于恒溫水浴中,并向該溶液中滴加氨水,攪拌反應(yīng)生成Sn(OH)4溶膠;
(3)將Sn(OH)4溶膠用去離子水洗滌后進(jìn)行離心分離,再將分離所得沉淀物超聲分散,得到二氧化錫前驅(qū)體;
(4)再用無水乙醇洗滌前軀體,然后離心分離,將分離出的產(chǎn)物干燥、研磨;
(5)將研磨后的粉體置于爐中焙燒,得到二氧化錫納米粉體。
作為優(yōu)選,步驟(1)中的去離子水中加入鹽酸,鹽酸與去離子水的體積比為1:70。
作為優(yōu)選,步驟(1)中配制的SnCl4溶液的濃度為0.05—0.1mol/L。
作為優(yōu)選,步驟(2)中恒溫水浴的溫度保持30--40℃。
作為優(yōu)選,步驟(2)滴加的氨水濃度為5—10wt%,反應(yīng)完成后,溶液的pH值為7.5—8.5。
作為優(yōu)選,步驟(4)中的干燥時(shí)在恒溫干燥箱中進(jìn)行80℃干燥12h。
作為優(yōu)選,焙燒溫度為200--400℃,焙燒時(shí)間為2—4h。
本發(fā)明通過SnCl4和氨水制備二氧化錫前驅(qū)體,并對(duì)前軀體進(jìn)行除氯離子和分散,為制備二氧化錫納米打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ);同時(shí),本發(fā)明焙燒前驅(qū)體,不僅制備出粒徑較小且分布均勻的納米產(chǎn)品,而且提高了制備效率。
具體實(shí)施方式
下面將詳細(xì)說明本發(fā)明,在此本發(fā)明的示意性實(shí)施例以及說明用來解釋本發(fā)明,但并不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
本發(fā)明的焙燒法制備二氧化錫納米粉體的工藝,包括以下步驟:
(1)將SnCl4·5H2O溶于去離子水中配制成濃度為0.05—0.1mol/LSnCl4溶液,如溶液濃度再增大,制備的二氧化錫粒徑會(huì)增大,影響性能;如濃度太小,則會(huì)影響反應(yīng)速度,增加成本,且制備的二氧化錫粒徑變化并不明顯;其中采用去離子水配制溶液時(shí)應(yīng)加入少量的鹽酸,鹽酸與去離子水的體積比為1:70,可防止SnCl4水解。
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