[發明專利]TFT陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201610053305.8
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105470269B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板(10)、及陣列排布于所述襯底基板(10)上的數個子像素單元(P)；

每一子像素單元(P)均包括：設于所述襯底基板(10)上圖案化的第一金屬層(M10)、覆蓋所述第一金屬層(M10)的柵極絕緣層(20)、設于所述柵極絕緣層(20)上的半導體層(30)、設于所述半導體層(30)和柵極絕緣層(20)上圖案化的第二金屬層(M20)、覆蓋所述第二金屬層(M20)和柵極絕緣層(20)的絕緣保護層(40)、以及設于所述絕緣保護層(40)上的圖案化的透明導電薄膜層(50)；

所述透明導電薄膜層(50)包括：相互獨立的主區像素電極(501)、次區像素電極(502)、及透明導電薄膜電極板(503)；

所述主區像素電極(501)電性連接主像素開關TFT(T10)、以及電荷共享TFT(T30)，次區像素電極(502)電性連接次像素開關TFT(T20)；

所述圖案化的第一金屬層(M10)包括：主像素開關TFT(T10)、次像素開關TFT(T20)、與電荷共享TFT(T30)的柵極(101)、以及公共電極線(102)；

所述圖案化的第二金屬層(M20)包括：主像素開關TFT(T10)、次像素開關TFT(T20)、與電荷共享TFT(T30)的源/漏極(201)、及第二金屬電極板(202)；

部分公共電極線(102)、第二金屬電極板(202)、以及透明導電薄膜電極板(503)在空間上重疊，且所述透明導電薄膜電極板(503)通過貫穿所述絕緣保護層(40)和柵極絕緣層(20)的第二過孔(422)與所述部分公共電極線(102)相接觸，所述部分公共電極線(102)、第二金屬電極板(202)、以及透明導電薄膜電極板(503)共同構成該子像素單元(P)的電荷共享電容(C10)；

所述電荷共享TFT(T30)電性連接于電荷共享電容(C10)；

所述主區像素電極(501)與所述次區像素電極(502)均為米字型結構，包括：一條狀的豎直主干、一與豎直主干中心垂直相交的條狀的水平主干、以及數個分別與豎直主干或水平主干呈±45°或±135°的條狀分支。

2.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述圖案化的第一金屬層(M10)還包括：數條沿水平方向延伸的電荷共享掃描線(103)、及數條與所述電荷共享掃描線(103)平行間隔排列的充電掃描線(104)；

所述圖案化的第二金屬層(M20)還包括：數條沿豎直方向延伸的數據線(203)；

所述數條電荷共享掃描線(103)、充電掃描線(104)、及數據線(203)位于數個子像素單元(P)的邊緣處。

3.如權利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述主像素開關TFT(T10)的柵極電性連接于充電掃描線(104)、源極電性連接于數據線(203)、漏極電性連接于主區像素電極(501)；所述次像素開關TFT(T20)的柵極電性連接于充電掃描線(104)、源極電性連接于數據線(203)、漏極電性連接于次區像素電極(502)；所述電荷共享TFT(T30)的柵極電性連接于電荷共享掃描線(103)、源極電性連接于主區像素電極(501)、漏極電性連接于電荷共享電容(C10)的第二金屬電極板(202)。

4.如權利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述透明導電薄膜層(50)的材料為ITO，所述第一金屬層(M10)和第二金屬層(M20)的材料均為鉬、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。