[發明專利]二維電化學構建納微電學元件的改進方法

有效

• 申請號: 201610052882.5
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105671604B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 張品華;崔光亮;陳麗
• 申請（專利權）人: 臨沂大學
• 主分類號: C25D5/00
• 分類號: C25D5/00;C25D17/12;C25D7/00;C25D5/54;C23C14/04;C23C14/34
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司 37212
• 代理人: 董寶錁

1.一種二維電化學構建納微電學元件的改進方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)制備連接電極：

以絕緣材料為基底，在基底上覆蓋掩膜，使掩膜的長寬與基底的長寬相對應，將掩膜平行地放置在基底的中間位置，然后將基底放入濺射室，在基底表面沉積一層導電性良好的薄膜，去掉掩膜即得所述的連接電極；

(2)二維電化學沉積納微電學元件：

將去掉掩膜后的兩個連接電極用導線與電源正負極相連后作為電沉積的陽極和陰極，將基底放入電化學生長室內，在兩電極間滴加電解液，蓋上蓋玻片，控制溫度使電解液結冰，然后在電極上施加沉積電勢，基底上逐漸沉積出二維納微結構材料，待沉積物從陰極生長到陽極后沉積結束，再將導線與電源斷開連接，取出基底并保持導線與電極連接良好，然后用超純水清洗基底3-5次，即得到附著在基底上的二維納微電學元件。

2.根據權利要求1所述的二維電化學構建納微電學元件的改進方法，其特征在于，步驟(1)所述的絕緣材料為玻璃片或石英片。

3.根據權利要求2所述的二維電化學構建納微電學元件的改進方法，其特征在于，步驟(1)所述的基底寬度為10-20mm，長度為15-25mm。

4.根據權利要求3所述的二維電化學構建納微電學元件的改進方法，其特征在于，步驟(1)所述的掩膜寬度為0.5-8mm，長度比基底的長度長1-5mm。

5.根據權利要求4所述的二維電化學構建納微電學元件的改進方法，其特征在于，步驟(1)所述的薄膜為金屬或導電良好的非金屬材料。

6.根據權利要求5所述的二維電化學構建納微電學元件的改進方法，其特征在于，步驟(1)所述的薄膜中，與掩膜同一側的薄膜上任意相距5mm的兩點間電阻不大于2歐。

7.根據權利要求6所述的二維電化學構建納微電學元件的改進方法，其特征在于，步驟(2)所述的控制溫度使電解液結冰的過程具體操作為：將溫度控制在可以使電解液結冰的溫度，放置20-40分鐘后，通過半導體制冷片使電解液產生冰核而迅速結冰，并保持此狀態靜置0.3-0.8小時。