[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610052794.5
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105655297B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張永福;李冰寒;江紅;王哲獻;高超
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有核心區(qū)和邊緣區(qū)，所述半導(dǎo)體襯底上由下到上形成有柵氧層、多晶硅層和第一掩膜層；

在核心區(qū)的所述第一掩膜層、多晶硅層、柵氧層和半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一溝槽，在邊緣區(qū)的所述第一掩膜層、多晶硅層、柵氧層和半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第二溝槽；

在所述第一溝槽和第二溝槽內(nèi)填充滿絕緣層；

形成覆蓋所述第一掩膜層和所述絕緣層的第二掩膜層后，統(tǒng)一進行一次退火處理，且在形成所述絕緣層之后且在形成所述第二掩膜層之前不進行退火；

去除退火處理后的位于核心區(qū)的第二掩膜層后，以位于所述邊緣區(qū)的第二掩膜層為掩膜刻蝕去除位于所述核心區(qū)的第一掩膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述退火處理的參數(shù)為：采用的氣體為N₂或Ar，退火溫度為900攝氏度～1200攝氏度，時間為5秒～120秒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜層的材料為氧化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜層的工藝為低壓化學氣相沉積工藝、亞常壓化學氣相沉積工藝或者等離子體化學氣相沉積工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料為氮化硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，刻蝕去除位于所述核心區(qū)的第一掩膜層的工藝為濕法刻蝕工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求6述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的參數(shù)為：采用的刻蝕溶液為磷酸溶液，磷酸的體積百分比濃度為60％～95％，刻蝕溫度為100攝氏度～200攝氏度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，去除退火處理后的位于核心區(qū)的第二掩膜層的工藝為各向異性干法刻蝕工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為氧化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述柵氧層的材料為氧化硅。