[發(fā)明專利]一種CVD沉積石墨烯膜的規(guī)模化生產(chǎn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610052662.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-01-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105603384B | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孟怡楠;譚化兵;劉海濱;沈大勇;王煒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無錫格菲電子薄膜科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/26 | 分類號(hào): | C23C16/26;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京世衡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11686 | 代理人: | 肖淑芳 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市無錫惠山*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cvd 沉積 石墨 規(guī)模化 生產(chǎn) 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種CVD沉積石墨烯膜的規(guī)模化生產(chǎn)方法,采用化學(xué)氣相沉積技術(shù),在真空狀態(tài)下先對(duì)金屬基底進(jìn)行熱處理,通入惰性氣體和碳源氣體,碳源氣體高溫下在金屬基底表面催化裂解,生長(zhǎng)出石墨烯,采用多層金屬基底疊加的方式規(guī)模化生長(zhǎng),相鄰兩層金屬基底之間用隔離層隔開。本發(fā)明通過隔離層的設(shè)置,不僅防止金屬基底的粘連,且不影響每層銅箔沉積高質(zhì)量石墨烯,實(shí)現(xiàn)了一片基板可裝多層的用于生長(zhǎng)石墨烯的金屬基底,從而達(dá)到同樣一個(gè)反應(yīng)爐可應(yīng)現(xiàn)傳統(tǒng)CVD法的百倍以上的產(chǎn)能,實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模化的生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及種一種CVD沉積石墨烯膜的規(guī)模化生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)
目前,石墨烯的制備有很多方法,包括微機(jī)械剝離法、化學(xué)剝離法、碳化硅外延生長(zhǎng)法、化學(xué)氣相沉積法。其中,機(jī)械剝離法過程簡(jiǎn)單,產(chǎn)物質(zhì)量高,但只能得到極少量石墨烯,效率低、隨機(jī)性大;SiC表面外延生長(zhǎng)法可獲得大面積的單層石墨烯,且質(zhì)量較高,但該方法生長(zhǎng)效率低、可控性差,且生長(zhǎng)條件苛刻,石墨烯難于轉(zhuǎn)移;化學(xué)剝離法由于強(qiáng)氧化過程的參與導(dǎo)致制備出的石墨烯含有較多缺陷,導(dǎo)電性較差,并且石墨烯的尺寸較小(片徑大多在微米量級(jí))。CVD方法具有簡(jiǎn)單易行、所得石墨烯質(zhì)量很高、可實(shí)現(xiàn)大面積生長(zhǎng)以及較易于轉(zhuǎn)移到各種基體上使用等優(yōu)點(diǎn),因此該方法被廣泛用于制備石墨烯晶體管和透明導(dǎo)電薄膜,目前已逐漸成為制備高質(zhì)量石墨烯的主要方法。
隨著石墨烯材料的應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展以及越來越成熟的應(yīng)用,例如:由于石墨烯電池的優(yōu)越性能,迅速推動(dòng)了電動(dòng)氣車的發(fā)展;石墨烯作為半導(dǎo)體材料,越來越多的取代了硅、鍺等材料,等等。然而,相應(yīng)的,石墨烯的需求量隨著這些產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,越來越供不應(yīng)求,石墨烯材料產(chǎn)業(yè)化發(fā)展受到產(chǎn)能不足的限制。目前,全球范圍內(nèi),對(duì)于石墨烯的生產(chǎn),由于其生產(chǎn)裝置和工藝條件等的約束下,無法實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高效的生產(chǎn),同時(shí)也導(dǎo)致生產(chǎn)成本過高,又阻礙石墨烯的進(jìn)一步推廣應(yīng)用。
目前CVD沉積石墨烯膜掛裝工藝:將單層金屬基底平鋪到耐高溫托板上,耐高溫托板通常為石英,石墨,或碳纖維等耐高溫材料。
現(xiàn)有技術(shù)因質(zhì)量和體積限制,樣品掛裝數(shù)量受限。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了一種CVD沉積石墨烯膜的規(guī)模化生產(chǎn)方法,提高了石墨烯的生產(chǎn)效率和產(chǎn)能。
本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來具體實(shí)現(xiàn):
一種CVD沉積石墨烯膜的規(guī)模化生產(chǎn)方法,采用化學(xué)氣相沉積技術(shù),在真空狀態(tài)下先對(duì)金屬基底進(jìn)行熱處理,通入惰性氣體和碳源氣體,碳源氣體高溫下在金屬基底表面催化裂解,生長(zhǎng)出石墨烯,采用多層金屬基底疊加的方式規(guī)模化生長(zhǎng),相鄰兩層金屬基底之間用隔離層隔開。
優(yōu)選的,所述隔離層為輕質(zhì)耐高溫隔離材料,于1050℃下物化性質(zhì)穩(wěn)定,優(yōu)選石墨紙、碳纖維布、碳化硅纖維布,更優(yōu)選為石墨紙。
優(yōu)選的,所述隔離層具有透氣性,優(yōu)選采用在隔離層上打孔的方式增加隔離層的透氣性。
優(yōu)選的,所述隔離層的面積等于或大于所隔離的相鄰金屬基底的面積,進(jìn)一步優(yōu)選的,所述隔離層的面積大于所隔離的相鄰金屬基底的面積。
優(yōu)選的,所述金屬基底的層數(shù)為2層以上,例如:2層、7層、13層、26層、50層、60層、70層、80層、100層、110層、130層、160層、200層、270層、300層等;優(yōu)選10-120層,例如:10層、15層、20層、25層、30層、35層、40層、45層、50層、55層、60層、65層、70層、75層、80層、85層、90層、95層、100層、105層、110層、115層、120層等;更優(yōu)選30-100層,例如:30層、34層、38層、42層、46層、53層、59層、66層、71層、77層、82層、86層、92層、95層、98層、100層等;更優(yōu)選70-100層,例如:70層、71層、72層、76層、78層、79層、80層、82層、83層、86層、87層、90層、91層、93層、96層、97層、100層等。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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