[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610051798.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-04-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105741866B | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高橋弘行;山野誠也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | G11C7/12 | 分類號(hào)： | G11C7/12;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 李蘭;孫志湧 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 集成電路 器件 | ||
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體集成電路器件，包括：一對(duì)互補(bǔ)信號(hào)線；第一晶體管，所述第一晶體管具有柵極、源極和漏極，所述第一晶體管的源極和漏極中的一個(gè)耦合到所述一對(duì)互補(bǔ)信號(hào)線中的一條，以及第二晶體管，所述第二晶體管具有柵極、源極和漏極，所述第二晶體管的柵極耦合到所述第一晶體管的柵極，所述第二晶體管的源極和漏極中的一個(gè)耦合到所述第一晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)，并且所述第二晶體管的源極和漏極中的另一個(gè)耦合到所述一對(duì)互補(bǔ)信號(hào)線中的另一條，其中所述第一晶體管的柵極寬度的方向不同于所述第二晶體管的柵極寬度的方向。
本申請(qǐng)是2012年4月12日提交的申請(qǐng)?zhí)枮?01210106969.8、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體集成電路器件”之申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
通過引用將2011年4月12日提交的日本專利申請(qǐng)No.2011-087972的包括說明書、權(quán)利要求、附圖和摘要的公開整體并入這里。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路器件，并且特別地涉及具有形成在同一擴(kuò)散層上的多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體集成電路器件。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體集成電路器件中，電路面積的減少直接導(dǎo)致制造成本的減少。特別地，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等的情況下，當(dāng)能夠即使略微地減少在同一布局圖案中重復(fù)使用的電路部分的面積時(shí)，也能夠獲得減少成本的顯著效果。
在動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中重復(fù)地使用讀出放大器電路作為電路部分。在動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，多個(gè)讀出放大器電路耦合到其中以矩陣形式布置存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列。圖1是示出一般的動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的一個(gè)讀出放大器電路的構(gòu)造的電路圖。
參考圖1中的讀出放大器電路的組成元件，讀出放大器電路包括第一位線BLT、第二位線BLN、讀出放大器SA、預(yù)充電/平衡器件Q、均衡信號(hào)輸入部分EQ和半電源電壓輸入部分HVC。預(yù)充電/平衡器件Q包括：作為平衡器件的第一晶體管Q1、作為第一預(yù)充電器件的第二晶體管Q2以及作為第二預(yù)充電器件的第三晶體管Q3。使用簡(jiǎn)單的觸發(fā)電路作為最普通的讀出放大器SA。
將描述圖1中的讀出放大器電路中的組成元件的耦合關(guān)系。讀出放大器SA的一端耦合到第一位線BLT。讀出放大器SA的另一端耦合到第二位線BLN。第一晶體管Q1的源極和漏極中的一個(gè)耦合到第一位線BLT。第一晶體管Q1的源極和漏極中的另一個(gè)耦合到第二位線BLN。第一至第三晶體管Q1至Q3的各自的柵極公共地耦合到均衡信號(hào)輸入部分EQ。第二晶體管Q2的源極和漏極中的一個(gè)耦合到第一位線BLT。第三晶體管Q3的源極和漏極中的一個(gè)耦合到第二位線BLN。第二和第三晶體管Q2和Q3的各自的源極和漏極中的另一個(gè)耦合到半電源電壓輸入部分HVC。
將簡(jiǎn)要地描述圖1中所示的讀出放大器電路的操作。首先，取決于耦合到其位線中的一個(gè)并且由字線選擇的存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)來決定第一和第二位線BLT和BLN之間的電勢(shì)差。
半電源電壓輸入部分HVC將是電源電壓VCC的一半的半電源電壓提供到第二和第三晶體管Q2和Q3的源漏耦合部分。結(jié)果，第二和第三晶體管Q2和Q3將半電源電壓預(yù)充電到第一和第二位線BLT和BLN。由于第二和第三晶體管Q2和Q3作為兩個(gè)預(yù)充電器件來操作，因此，它們通常被設(shè)計(jì)為柵極寬度的尺寸相同并且布局對(duì)稱。
最終，讀出放大器SA分別根據(jù)第一和第二位線BLT和BLN的電勢(shì)與半電源電壓之間的差而將第一和第二位線BLT和BLN的電壓放大到互補(bǔ)電勢(shì)。
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