[發(fā)明專利]一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610051496.4
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105487026A
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張日;郭強;路翎;屈成忠;唐曉成;張逢春;李晶;張桐
• 申請（專利權(quán)）人: 東北電力大學(xué)
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 吉林市達利專利事務(wù)所 22102
• 代理人: 陳傳林

1.一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計，其特征是，它包括電源端口電路、穩(wěn)壓模塊電路、升壓模塊電路、激勵產(chǎn)生電路、巨磁阻芯片模塊電路、單片機最小系統(tǒng)電路，所述的電源端口電路與穩(wěn)壓模塊電路電連接，所述的穩(wěn)壓模塊電路分別與升壓模塊電路、巨磁阻芯片模塊電路電連接，所述的升壓模塊電路與激勵產(chǎn)生電路電連接，所述的激勵產(chǎn)生電路分別與巨磁阻芯片模塊電路、單片機最小系統(tǒng)電路電連接，所述的巨磁阻芯片模塊電路與單片機最小系統(tǒng)電路電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計，其特征是，所述電源端口電路的輸入端連接外部5V電壓，其輸出端正極與地之間串聯(lián)二極管D1和電容C4。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計，其特征是，所述穩(wěn)壓模塊電路采用AMS1117CS-5.0芯片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計，其特征是，所述升壓模塊采用B0512S芯片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計，其特征是，所述勵產(chǎn)生電路的模塊采用BTN7971芯片，BTN7971芯片的8號引腳通過保護電容C7與巨磁阻芯片模塊電路的相互垂直雙磁敏感軸HMC1002芯片的16號引腳連接，BTN7971芯片的7號引腳與升壓模塊電路4的B0512S芯片4號引腳連接，BTN7971芯片的3號引腳與穩(wěn)壓模塊電路2的AMS1117CS-5.0芯片7號引腳連接，BTN7971芯片的2號引腳通過分壓電阻R6與單片機最小系統(tǒng)電路3的STC51單片機的8號引腳連接，BTN7971芯片的1號引腳接地；BTN7971芯片的2號引腳接輸入信號。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計，其特征是，所述巨磁阻芯片模塊電路包括具有相互垂直的雙磁敏感軸芯片HMC1002和單磁敏感軸芯片HMC1001，相互垂直雙磁敏感軸芯片HMC1002的2、5、9、12號引腳分別與單片機最小系統(tǒng)電路的STC51單片機21、22、23、24號引腳連接，相互垂直雙磁敏感軸芯片HMC1002的2號引腳和5號引腳為磁敏感軸A的輸出正負(fù)極，相互垂直雙磁敏感軸芯片HMC1002的9號和12號引腳為磁敏感軸B的輸出正負(fù)極，相互垂直雙磁敏感軸芯片HMC1002的4號引腳和11號引腳為供電引腳；相互垂直雙磁敏感軸芯片HMC1002的7號引腳與單磁敏感軸芯片HMC1001的1號引腳連接，單磁敏感軸芯片HMC1001的5、8號引腳分別與單片機最小系統(tǒng)電路的STC51單片機26、25號引腳連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于巨磁阻效應(yīng)芯片的三軸磁場強度計，其特征是，所述單片機最小系統(tǒng)電路采用STC51單片機，STC51單片機的18和19號引腳分別與晶振Y1的一端連接，并通過電容C1和電容C2接地，STC51單片機的9號引腳連接的電解電容C3與復(fù)位按鈕S1并聯(lián)，STC51單片機的9號引腳連接分壓電阻R1與地連接，STC51單片機的31號引腳和40號引腳接5V電源，20號引腳GND接地。