[發明專利]基于單層石墨烯和布拉格光柵的光譜選擇性吸收器在審
| 申請號： | 201610049854.8 | 申請日： | 2016-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN105572865A | 公開（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發明（設計）人： | 吳俊;周常河;李民康;項長鋮 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | G02B27/00 | 分類號： | G02B27/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 張澤純;張寧展 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 單層 石墨 布拉格 光柵 光譜 選擇性 吸收 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于光通信波段的基于石墨烯單層和布拉格光柵的超窄帶TE偏振光譜 選擇性吸收器，其特征在于該吸收器包括自上而下的電介質光柵層(2)、單層石墨 烯(3)和布拉格光柵層(4)，所述電介質光柵層的周期、脊寬和厚度分別為574～ 576納米、548～550納米和219～221納米，所述布拉格光柵層由至少20對的低折 射率電介質平板和高折射率電介質平板組成，低折射率電介質平板的厚度為340～ 350納米，高折射率電介質平板的厚度為165～175納米。
2.根據權利要求1所述的基于石墨烯單層和布拉格光柵的超窄帶TE偏振光譜 選擇性吸收器，其特征在于，所述的電介質光柵層的周期、脊寬和厚度分別為575 納米、549納米和220納米，所述布拉格光柵層為20對低折射率電介質平板和高折 射率電介質平板，其厚度分別為345納米和170納米。
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