[發明專利]陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201610049494.1
• 申請日: 2016-01-25
• 公開（公告）號: CN105679768B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 顏堯;曹尚操
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 梁愷崢

本發明的陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置，設計由多晶硅半導體層和第一金屬層以及兩者之間的絕緣層，或者多晶硅半導體層和第二金屬層以及兩者之間的介質隔離層形成MIS存儲電容，當第一金屬層或第二金屬層一側接收負性灰階電壓時，多晶硅半導體層中的P?Si會聚集形成空穴，當接收正性灰階電壓時，在P?Si的上層會形成耗盡層，降低MIS存儲電容的電容量，從而降低MIS存儲電容在正負性灰階電壓時的電容量差值，改善閃爍現象的發生，確保顯示效果。

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，具體而言涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置。

背景技術

LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)產生閃爍(Flicker)現象的原因有多種，最主要的原因是TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)漏電的差異，即TFT在施加負性灰階電壓時的漏電大于施加正性灰階電壓時的漏電，導致陣列基板的存儲電容在正負性灰階電壓時的電容量存在差值。隨著LCD廣泛應用于各個顯示領域，并且為了降低功耗，LCD往往被施加較低的source(源極)驅動電壓，導致相鄰灰階的灰階電壓之差變小，更容易加劇閃爍現象的發生，影響顯示效果。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種陣列基板、液晶顯示面板及液晶顯示裝置，能夠改善閃爍現象的發生，確保顯示效果。

本發明提供的一種陣列基板，包括襯底基材以及形成于襯底基材上的第一金屬層、絕緣層、多晶硅半導體層、介質隔離層以及第二金屬層，第一金屬層包括間隔設置的第一區域和第二區域，第一區域的第一金屬層為陣列基板的TFT的柵極，第二金屬層包括間隔設置的第三區域和第四區域，第三區域和第四區域的第二金屬層分別為TFT的源極和漏極，多晶硅半導體層和第二區域的第一金屬層通過夾持于兩者之間的絕緣層絕緣重疊，或者，多晶硅半導體層和第四區域的第二金屬層通過夾持于兩者之間的介質隔離層絕緣重疊，以形成陣列基板的MIS存儲電容。

其中，TFT的柵極位于多晶硅半導體層的上方，陣列基板還包括形成于襯底基材上的遮光金屬層以及設置于遮光金屬層和多晶硅半導體層之間的緩沖層，遮光金屬層包括間隔設置的第五區域和第六區域，第五區域位于第一區域的下方，緩沖層形成有第一接觸孔，多晶硅半導體層通過第一接觸孔與第六區域的遮光金屬層連接，第二區域的第一金屬層與第四區域的第二金屬層連接，使得多晶硅半導體層和第二區域的第一金屬層以及兩者之間的絕緣層形成陣列基板的MIS存儲電容。

其中，TFT的柵極位于多晶硅半導體層的上方，陣列基板還包括形成于襯底基材上的遮光金屬層以及設置于遮光金屬層和多晶硅半導體層之間的緩沖層，遮光金屬層包括間隔設置的第五區域和第六區域，第五區域位于第一區域的下方，第二金屬層還包括與第四區域相鄰間隔設置且遠離第三區域的第七區域，多晶硅半導體層通過第七區域的第二金屬層與第六區域的遮光金屬層連接，第二區域的第一金屬層與第二區域的第二金屬層連接，使得多晶硅半導體層和第二區域的第一金屬層以及兩者之間的絕緣層形成陣列基板的MIS存儲電容。

其中，第六區域的遮光金屬層橫跨陣列基板的有效顯示區域，陣列基板還包括設置于襯底基材上的公共電極，第六區域的遮光金屬層在有效顯示區域的外圍與公共電極連接。

其中，TFT的柵極位于多晶硅半導體層的下方，絕緣層形成有第二接觸孔，多晶硅半導體層通過第二接觸孔與第二區域的第一金屬層連接，使得多晶硅半導體層和第四區域的第二金屬層以及兩者之間的介質隔離層形成陣列基板的MIS存儲電容。

其中，TFT的柵極位于多晶硅半導體層的下方，第二金屬層還包括與第四區域相鄰間隔設置且遠離第三區域的第七區域，多晶硅半導體層通過第七區域的第二金屬層與第二區域的第一金屬層連接，使得多晶硅半導體層和第四區域的第二金屬層以及兩者之間的介質隔離層形成陣列基板的MIS存儲電容。