[發明專利]一種夾具及其制造方法

在審

• 申請號: 201610048965.7
• 申請日: 2016-01-25
• 公開（公告）號: CN106997076A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 付思齊;時文華;李翔;劉彬;繆小虎;張寶順
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G02B6/32
• 分類號: G02B6/32
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種夾具，用于夾持光纖準直器，其特征在于，所述夾具包括襯底以及設置于所述襯底上方的硅基本體，所述硅基本體頂部設置有第一導向孔，用于裝設并固定所述光纖準直器，所述第一導向孔向下延伸出一限位孔，所述限位孔貫穿所述硅基本體到達所述襯底。

2.根據權利要求1所述的夾具，其特征在于，所述襯底包括從上而下依次遠離所述硅基本體設置的第一薄膜層、第二薄膜層；所述第二薄膜層的厚度為所述第一薄膜層厚度的2～3倍。

3.根據權利要求2所述的夾具，其特征在于，所述第一薄膜層的材質為氧化硅，所述第二薄膜層的材質為氮化硅。

4.根據權利要求2所述的夾具，其特征在于，所述第一薄膜層的厚度為1～2微米。

5.根據權利要求1所述的夾具，其特征在于，所述限位孔的深度為100～300微米。

6.根據權利要求1所述的夾具，其特征在于，所述硅基本體的厚度不大于1毫米。

7.根據權利要求1所述的夾具，其特征在于，所述限位孔的橫向尺寸為200～1800微米。

8.根據權利要求1～7任一所述的夾具，其特征在于，所述第一導向孔向下延伸出兩個第二導向孔，兩個所述第二導向孔分別設置于所述限位孔兩側。

9.一種如權利要求2所述的夾具的制造方法，其特征在于，包括：

在所述硅基本體頂部以及底部分別沉積一層氧化層；

通過刻蝕去除所述硅基本體頂部的氧化層，所述硅基本體底部的氧化層形成為第一薄膜層；

在所述第一薄膜層的底部沉積厚度為所述第一薄膜層厚度的2～3倍的第二薄膜層；

在所述硅基本體頂部涂覆光刻膠，以所述光刻膠為掩膜，刻蝕所述硅基本體頂部形成限位孔，使得所述限位孔貫穿所述硅基本體到達所述第一薄膜層。

去除所述硅基本體頂部的光刻膠，在所述形成有限位孔的硅基本體頂部重 新涂覆光刻膠，以所述光刻膠為掩膜，刻蝕所述硅基本體頂部形成第一導向孔，使得所述第一導向孔與所述限位孔連接，

去除形成有所述第一導向孔以及所述限位孔的硅基本體頂部的光刻膠。

10.根據權利要求9所述的夾具制造方法，其特征在于，所述第一薄膜層的材質為氧化硅，所述第二薄膜層的材質為氮化硅。

11.根據權利要求9所述的夾具制造方法，其特征在于，所述第一薄膜層的厚度為1～2微米。

12.根據權利要求9所述的夾具制造方法，其特征在于，所述限位孔的深度為100～300微米，其橫向尺寸為200～1800微米。

13.根據權利要求9所述的夾具制造方法，其特征在于，所述硅基本體的厚度不大于1毫米。

14.根據權利要求9～13任一所述的夾具制造方法，其特征在于，所述第一導向孔向下延伸出兩個第二導向孔，兩個所述第二導向孔分別設置于所述限位孔兩側，所述方法還包括：

在所述形成有第一導向孔以及限位孔的硅基本體頂部涂覆光刻膠，以所述光刻膠為掩膜，刻蝕所述第一導向孔底部形成第二導向孔；

去除所述第一導向孔底部的光刻膠。

15.根據權利要求14所述的夾具制造方法，其特征在于，去除光刻膠的方法為濕法去膠。