[發明專利]微電容超聲傳感器

有效

• 申請號: 201610048961.9
• 申請日: 2016-01-25
• 公開（公告）號: CN106998522B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 苗靜;沈文江;熊繼軍;薛晨陽
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H04R19/00
• 分類號: H04R19/00
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種微電容超聲傳感器，其特征在于，包括：襯底、設置于所述襯底上表面的下電極組件、上膜以及設置于所述上膜上表面的上電極組件，所述襯底上表面還設置有封閉環繞所述下電極組件的下密封線圈，所述上膜下表面凹設有用于收容所述下電極組件的收容腔以及封閉環繞所述收容腔的上密封線圈，所述上膜和所述襯底至少通過所述上密封線圈和所述下密封線圈對接密封所述收容腔，所述上密封線圈和所述下密封線圈均為首尾相連的環形線圈，且所述上密封線圈與所述下密封線圈的形狀相匹配。

2.根據權利要求1所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述襯底上表面還設置有與所述下電極組件通過下焊盤引線連接的下焊盤，所述上膜開設有與所述下焊盤對應的下焊盤窗口，所述下焊盤窗口位于所述上密封線圈封閉環繞的區域之外，所述下焊盤通過所述下焊盤窗口暴露；所述上膜上表面還設置有與所述上電極組件通過上焊盤引線連接的上焊盤。

3.根據權利要求2所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述下焊盤窗口與所述下焊盤的形狀對應，且所述下焊盤窗口的內側壁與所述下焊盤之間具有間隙。

4.根據權利要求1-3任一所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述微電容超聲傳感器還包括夾設于所述上膜與所述上電極組件之間的絕緣層。

5.根據權利要求4所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述上電極組件包括上電極互聯引線以及通過所述上電極互聯引線彼此連接的若干上電極，所述下電極組件包括下電極互聯引線以及通過所述下電極互聯引線彼此連接的若干下電極；其中，在與所述襯底垂直的方向上，所述若干上電極與所述若干下電極的投影對應重合，且對應的所述上電極之間的上電極互聯引線與所述下電極之間的下電極互聯引線的投影相互交叉。

6.根據權利要求5所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述上膜下表面還凹設有貫通若干所述收容腔的互聯通道；其中，所述互聯通道與所述下電極互聯引線相對應，且所述互聯通道與所述收容腔的深度相等。

7.根據權利要求5所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，在與所述襯底垂直的方向上，所述若干上電極和下電極的投影在對應的所述收容腔的投影之內；且所述收容腔的深度大于與其對應的所述下電極的厚度。

8.根據權利要求1所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述上密封線圈和所述下密封線圈均為金屬線圈。

9.根據權利要求1所述的微電容超聲傳感器，其特征在于，所述襯底的材料為玻璃，所述上膜的材料為硅，和/或所述上膜和所述襯底還通過陽極鍵合密封所述收容腔。