[發(fā)明專利]基于不等式約束的輔助電容集中式單箝位MMC自均壓拓?fù)?/span>在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610047418.7 | 申請日: | 2016-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN105429491A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙成勇;許建中;劉航 | 申請(專利權(quán))人: | 華北電力大學(xué) |
| 主分類號: | H02M7/219 | 分類號: | H02M7/219;H02M1/00;H02J3/36 |
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| 地址: | 102206 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 不等式 約束 輔助 電容 集中 箝位 mmc 拓?fù)?/a> | ||
1.基于不等式約束的輔助電容集中式單箝位MMC自均壓拓?fù)?,其特征在于:包括由A、B、C三相構(gòu)成的單箝位MMC模型,A、B、C三相分別由2N個(gè)單箝位子模塊,2個(gè)橋臂電抗器串聯(lián)而成;包括由6N個(gè)IGBT模塊,6N+7個(gè)鉗位二極管,4個(gè)輔助電容C1、C2、C3、C4,2個(gè)輔助IGBT模塊T1、T2構(gòu)成的自均壓輔助回路。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的基于不等式約束的輔助電容集中式單箝位MMC自均壓拓?fù)洌涮卣髟谟冢篈相上下橋臂,單箝位子模塊中,二極管連接子模塊電容正極,IGBT模塊連接子模塊電容負(fù)極;A相上橋臂的第1個(gè)子模塊,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向下與A相上橋臂的第2個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與直流母線正極相連;A相上橋臂的第i個(gè)子模塊,其中i的取值為2~N-1,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向下與A相上橋臂的第i+1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相上橋臂的第i-1個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;A相上橋臂的第N個(gè)子模塊,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向下經(jīng)兩個(gè)橋臂電抗器L0與A相下橋臂的第1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相上橋臂的第N-1個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;A相下橋臂的第i個(gè)子模塊,其中i的取值為2~N-1,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向下與A相下橋臂的第i+1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相下橋臂的第i-1個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;A相下橋臂的第N個(gè)子模塊,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向下與直流母線負(fù)極相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向上與A相下橋臂的第N-1個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;B相上下橋臂,單箝位子模塊中,IGBT模塊連接子模塊電容正極,二極管連接子模塊電容負(fù)極;B相上橋臂的第1個(gè)子模塊,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向上與直流母線正極相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相上橋臂的第2個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;B相上橋臂的第i個(gè)子模塊,其中i的取值為2~N-1,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向上與B相上橋臂的第i-1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相上橋臂的第i+1個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;B相上橋臂的第N個(gè)子模塊,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向上與B相上橋臂的第N-1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下經(jīng)兩個(gè)橋臂電抗器L0與B相下橋臂的第1個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;B相下橋臂的第i個(gè)子模塊,其中i的取值為2~N-1,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向上與B相下橋臂的第i-1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與B相下橋臂的第i+1個(gè)子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)相連;B相下橋臂的第N個(gè)子模塊,其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點(diǎn)向上與B相下橋臂第N-1個(gè)子模塊IGBT模塊中點(diǎn)相連,其子模塊IGBT模塊中點(diǎn)向下與直流母線負(fù)極相連;C相上下橋臂子模塊的連接方式可以與A相一致,也可以與B相一致;在A、B、C相上下橋臂第i個(gè)子模塊上下輸出線之間分別并聯(lián)有機(jī)械開關(guān)Kau_i、Kal_i、Kbu_i、Kbl_i、Kcu_i、Kcl_i,其中i的取值為1~N;上述連接關(guān)系構(gòu)成的A、B、C三相地位一致,三相輪換對稱之后的其他拓?fù)湓跈?quán)利范圍內(nèi)。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M7-00 交流功率輸入變換為直流功率輸出;直流功率輸入變換為交流功率輸出
H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
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