[發(fā)明專利]阻變存儲裝置的測試方法和測試設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610046802.5
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN105741869B
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李辛毅;吳華強;錢鶴;馬向超
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 彭久云,王銳

1.一種阻變存儲裝置的測試方法，所述阻變存儲裝置包括成陣列排布的多個阻變存儲單元，所述陣列包括在第一方向上交替排布的至少一個奇數(shù)行和至少一個偶數(shù)行；以及在不同于所述第一方向的第二方向上交替排布的至少一個奇數(shù)列和至少一個偶數(shù)列，所述多個阻變存儲單元可分為第一存儲單元組和第二存儲單元組，其中，所述第一存儲單元組中的每個阻變存儲單元的行號和列號之和為偶數(shù)，所述第二存儲單元組中的每個阻變存儲單元的行號和列號之和為奇數(shù)，每個阻變存儲單元設(shè)計為具有初始狀態(tài)、高阻狀態(tài)和低阻狀態(tài)，所述測試方法包括以下步驟：

編程步驟：在所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組中有至少一組處于高阻狀態(tài)或初始狀態(tài)的情況下，對所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組中的一組進行編程操作以改變所述組中的阻變存儲單元的阻態(tài)，其中，在所述編程操作期間未經(jīng)歷所述編程操作的另一組保持為初始狀態(tài)或高阻狀態(tài)；以及

檢測步驟：對上述編程步驟中經(jīng)歷了所述編程操作的至少一個阻變存儲單元執(zhí)行讀出操作以得到指示該至少一個所述阻變存儲單元是否合格的信息，其中，在執(zhí)行所述讀出操作期間，未經(jīng)歷所述編程操作的另一組保持為初始狀態(tài)或高阻狀態(tài)，其中，所述初始狀態(tài)為另一高阻狀態(tài)，

其中，所述編程操作為形成操作、重置操作或設(shè)置操作，所述形成操作設(shè)計為將所述阻變存儲單元由初始狀態(tài)切換到低阻狀態(tài)；所述重置操作設(shè)計為將所述阻變存儲單元由低阻狀態(tài)切換到高阻狀態(tài)；所述設(shè)置操作設(shè)計為將所述阻變存儲單元由高阻狀態(tài)切換到低阻狀態(tài)，其中，在所述低阻狀態(tài)的所述阻變存儲單元的阻值小于在所述高阻狀態(tài)或所述初始狀態(tài)的所述阻變存儲單元的阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲裝置的測試方法，其中，

在所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組均處于初始狀態(tài)的情況下，或者在所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組其中一組處于所述初始狀態(tài)且其中另一組中的阻變存儲單元處于所述高阻狀態(tài)，對處于初始狀態(tài)的一組執(zhí)行形成操作以將所述組中的阻變存儲單元切換至所述低阻狀態(tài)，其中在所述形成操作期間未經(jīng)歷所述形成操作的另一組保持為所述初始狀態(tài)或所述高阻狀態(tài)；且

對經(jīng)歷了所述形成操作的存儲單元組執(zhí)行讀出操作以得到指示該組中阻變存儲單元是否形成合格的信息，其中，在執(zhí)行所述讀出操作期間，未經(jīng)歷所述形成操作的另一組保持為初始狀態(tài)或高阻狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲裝置的測試方法，其中，

在所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組其中一組處于所述高阻狀態(tài)或所述初始狀態(tài)且其中另一組處于低阻狀態(tài)的情況下，對處于所述低阻狀態(tài)的一組進行重置操作以將所述組中的阻變存儲單元切換至所述高阻狀態(tài)，其中在所述重置操作期間未經(jīng)歷所述重置操作的另一組保持為所述高阻狀態(tài)或所述初始狀態(tài)；且

對經(jīng)歷了所述重置操作的存儲單元組執(zhí)行讀出操作以得到指示該組中阻變存儲單元是否重置合格的信息，其中，在執(zhí)行所述讀出操作期間，未經(jīng)歷所述重置操作的另一組保持為初始狀態(tài)或高阻狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲裝置的測試方法，其中，

在所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組均處于所述高阻狀態(tài)的情況下，對所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元中的一組進行設(shè)置操作以將所述組中的阻變存儲單元切換至所述低阻狀態(tài)，其中在所述設(shè)置操作期間未經(jīng)歷所述設(shè)置操作的阻變存儲單元保持為所述高阻狀態(tài)；且

對經(jīng)歷了所述設(shè)置操作的阻變存儲單元執(zhí)行讀出操作以得到指示該組中阻變存儲單元是否設(shè)置合格的信息，其中，在執(zhí)行所述讀出操作期間，未經(jīng)歷所述設(shè)置操作的另一組保持為高阻狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻變存儲裝置的測試方法，還包括：在所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組并非均處于高阻狀態(tài)或初始狀態(tài)的情況下，對所述多個阻變存儲單元中的至少一個執(zhí)行重置操作或修復(fù)操作使得所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組兩組中的每個阻變存儲單元處于所述高阻狀態(tài)或初始狀態(tài)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的阻變存儲裝置的測試方法，還包括：執(zhí)行完所述檢測步驟之后再次執(zhí)行所述編程步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的阻變存儲裝置的測試方法，在所述編程步驟之前還包括：

狀態(tài)判斷步驟：判斷所述第一存儲單元組和所述第二存儲單元組中是否有至少一組處于高阻狀態(tài)或初始狀態(tài)。