[發明專利]閃存數據糾錯方法及裝置

有效

• 申請號: 201610045792.3
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN105740088B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 蔣林;吳大畏;李曉強
• 申請（專利權）人: 深圳市硅格半導體有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

1.一種閃存數據糾錯方法，其特征在于，所述閃存數據糾錯方法包括以下步驟：

獲取待讀取數據塊的行校驗數據，并通過所述行校驗數據確定所述待讀取數據塊中是否存在錯誤位；

在所述待讀取數據存在錯誤位時，采用所述行校驗數據對所述待讀取數據塊進行行糾錯處理；

若所述待讀取數據塊中的錯誤位數大于所述行校驗數據能糾正的錯誤位數，則確定所述行糾錯處理糾錯失?。?/p>

若所述行糾錯處理糾錯失敗，則采用所述待讀取數據塊對應的列校驗數據和所述行校驗數據進行糾錯處理；

其中，所述采用所述待讀取數據塊對應的列校驗數據和所述行校驗數據進行糾錯處理的步驟包括：

采用所述待讀取數據塊對應的列校驗數據對所述列校驗數據對應的數據塊進行列糾錯處理，并在所述列糾錯處理糾錯成功時，將所述列校驗數據對應的數據塊中屬于所述待讀取數據塊中的數據填充至所述待讀取數據塊對應的位置，采用所述行校驗數據對填充后的待讀取數據塊進行行糾錯處理。

2.如權利要求1所述的閃存數據糾錯方法，其特征在于，所述閃存數據糾錯方法還包括：

在接收到數據存儲指令時，對待存儲數據塊進行編碼以得到所述待存儲數據塊的行校驗數據；

存儲所述待存儲數據塊及所述行校驗數據；

在已存儲的數據占用閃存設備的物理塊的預設個物理頁時，將所述預設個物理頁中相同位置的預設個字節的數據組合成數據塊；

對所述數據塊進行編碼以得到所述數據塊的列校驗數據；

存儲所述列校驗數據。

3.如權利要求1所述的閃存數據糾錯方法，其特征在于，所述采用所述待讀取數據塊對應的列校驗數據和所述行校驗數據進行糾錯處理的步驟包括：

獲取所述待讀取數據塊對應的列校驗數據，其中，所述待讀取數據塊對應的列校驗數據存在多個；

按順序采用獲取的多個所述列校驗數據中的首個列校驗數據對其對應的數據塊進行列糾錯處理，并獲取列糾錯處理結果；

若所述列糾錯處理結果為糾錯成功，則將所述數據塊中屬于所述待讀取數據塊中的數據填充到所述待讀取數據塊的對應位置上，并采用所述行校驗數據對填充后的所述待讀取數據塊進行行糾錯處理，獲取行糾錯處理結果；

若所述列糾錯處理結果為糾錯失敗，則按順序采用獲取的多個所述列校驗數據中的下一個列校驗數據對其對應的數據塊進行糾錯處理。

4.如權利要求3所述的閃存數據糾錯方法，其特征在于，所述采用所述行校驗數據對填充后的所述待讀取數據塊進行行糾錯處理，獲取行糾錯處理結果的步驟之后，還包括：

若所述行糾錯處理結果為糾錯失敗，則執行所述按順序采用獲取的多個所述列校驗數據中的下一個列校驗數據對其對應的數據塊進行糾錯處理的步驟。

5.如權利要求1至4任一項所述的閃存數據糾錯方法，其特征在于，所述通過所述行校驗數據確定所述待讀取數據塊中是否存在錯誤位的步驟之前，還包括：

在接收到數據讀取指令時，執行通過所述行校驗數據確定所述待讀取數據塊中是否存在錯誤位的步驟。

6.一種閃存數據糾錯裝置，其特征在于，所述閃存數據糾錯裝置包括：

獲取模塊，用于獲取待讀取數據塊的行校驗數據，并通過所述行校驗數據確定所述待讀取數據塊中是否存在錯誤位；

行糾錯模塊，用于在所述待讀取數據存在錯誤位時，采用所述行校驗數據對所述待讀取數據塊進行糾錯處理；

行糾錯確定模塊，用于在所述待讀取數據塊中的錯誤位數大于所述行校驗數據能糾正的錯誤位數時，確定所述行糾錯處理糾錯失??；

行列糾錯模塊：用于在所述行糾錯處理糾錯失敗時，采用所述待讀取數據塊對應的列校驗數據和所述行校驗數據進行糾錯處理；

其中，行列糾錯模塊包括：

行列糾錯單元，用于在所述行糾錯處理糾錯失敗時，采用所述待讀取數據塊對應的列校驗數據對所述列校驗數據對應的數據塊進行列糾錯處理，并在所述列糾錯處理糾錯成功時，將所述列校驗數據對應的數據塊中屬于所述待讀取數據塊中的數據填充至所述待讀取數據塊對應的位置，采用所述行校驗數據對填充后的待讀取數據塊進行行糾錯處理。