[發明專利]一種Sn1-0.5xCuxS2納米花及其制備和應用有效
| 申請號: | 201610045111.3 | 申請日: | 2016-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN105709780B | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 潘軍;馬永進;陳熹;譚鵬飛;吳函朔 | 申請(專利權)人: | 中南大學 |
| 主分類號: | B01J27/04 | 分類號: | B01J27/04;B01J20/02;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/30 |
| 代理公司: | 長沙市融智專利事務所 43114 | 代理人: | 顏勇 |
| 地址: | 410083 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 sn sub 0.5 cu 納米 及其 制備 應用 | ||
1.一種Sn1-0.5xCuxS2納米花,其特征在于:所述納米花的化學式為Sn1-0.5xCuxS2,其中x的取值為0.001-0.3;所述納米花的應用包括用于催化分解有機物;所述催化分解為光催化分解。
2.根據權利要求1所述的一種Sn1-0.5xCuxS2納米花,其特征在于:
所述納米花由Sn1-0.5xCuxS2納米片通過相互鑲嵌和/或貫穿組成。
3.根據權利要求2所述的一種Sn1-0.5xCuxS2納米花,其特征在于:所述納米花的直徑為1-5μm,比表面積為63-83㎡/g。
4.一種制備如權利要求1-3任意一項所述Sn1-0.5xCuxS2納米花的方法,其特征在于包括下述步驟:
按設計的組分配取Sn源、Cu源和S源后,將配取的Sn源、Cu源和S源加入溶劑中混合均勻,得到混合溶液,再將混合溶液置于反應釜中,于160-200℃反應,得到Sn1-0.5xCuxS2納米花;所述Sn源為可溶性錫鹽,所述可溶性錫鹽中錫的價態為正四價;所述Cu源為可溶性銅鹽,所述可溶性銅鹽中銅的價態為正二價;S源選自硫代乙酰胺、硫化鈉、硫脲中的至少一種。
5.根據權利要求4所述的一種Sn1-0.5xCuxS2納米花的制備方法,其特征在于:所述溶劑選自乙醇。
6.根據權利要求4所述的一種Sn1-0.5xCuxS2納米花的制備方法,其特征在于:
所述可溶性銅鹽選自氯化銅、硝酸銅、硫酸銅中的至少一種;
所述可溶性錫鹽選自結晶四氯化錫和無水四氯化錫中的一種。
7.根據權利要求4所述的一種Sn1-0.5xCuxS2納米花的制備方法,其特征在于:所述混合溶液中,
四價錫的濃度為0.017-0.0.333mol/L;
二價銅的濃度為0.0033-0.167mol/L;
硫源的濃度為0.033-0.667mol/L。
8.一種如權利要求1-3任意一項所述Sn1-0.5xCuxS2納米花的應用,其特征在于:所述應用包括用于催化分解有機物。
9.根據權利要求8所述的一種Sn1-0.5xCuxS2納米花的應用,其特征在于:所述催化分解為光催化分解;所述有機物為有機染料,所述有機染料選自羅丹明B、直接藍、亞甲基藍中的至少一種。
10.根據權利要求8所述的一種Sn1-0.5xCuxS2納米花的應用,其特征在于:以可見光為光源,以Sn1-0.5xCuxS2納米花為催化劑,以羅丹明B溶液為光催化分解對象,按質量比,催化劑:羅丹明B=100:9,配取催化劑和羅丹明B溶液后,經120min的光催化分解后,羅丹明B溶液中羅丹明B的剩余量小于等于10%;所述Sn1-0.5xCuxS2納米花中,x的取值為0.18-0.22。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中南大學,未經中南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610045111.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
- 瓶(0.5L)
- 0.5微米垂直JFET工藝
- Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub>-BaTiO<sub>3</sub>–BiMg<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>O<sub>3</sub>無鉛壓電陶瓷材料
- K0.5Na0.5NbO3單晶的制備方法
- 0.5U網絡配線架
- K<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub>–BiNi<sub>0.5</sub>Zr<sub>0.5</sub>O<sub>3</sub>電致伸縮陶瓷材料及制備
- 旋轉第0.5軸
- 旋轉第0.5軸
- (Pr<base:Sub>0.5
- Cu<base:Sub>0.5





