[發(fā)明專利]一種基于FinFET器件的一位全加器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610044597.9 | 申請日: | 2016-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105720969B | 公開(公告)日: | 2018-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡建平;張緒強(qiáng) | 申請(專利權(quán))人: | 寧波大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03K19/20 | 分類號(hào): | H03K19/20 |
| 代理公司: | 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 方小惠 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 finfet 器件 一位 全加器 | ||
1.一種基于FinFET器件的一位全加器,包括求和輸出電路和進(jìn)位輸出電路,其特征在于所述的求和輸出電路包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管和第十FinFET管,所述的第一FinFET管和所述的第六FinFET管均為P型FinFET管,所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第七FinFET管、所述的第八FinFET管、所述的第九FinFET管和所述的第十FinFET管均為N型FinFET管,所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第七FinFET管和所述的第八FinFET管均為低閾值FinFET管,所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第九FinFET管和所述的第十FinFET管均為高閾值FinFET管,所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第七FinFET管和所述的第八FinFET管鰭的個(gè)數(shù)均為1,所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第九FinFET管和所述的第十FinFET管鰭的個(gè)數(shù)均為2;所述的進(jìn)位輸出電路包括第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十四FinFET管、第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管和第十八FinFET管,所述的第十一FinFET管和所述的第十五FinFET管均為P型FinFET管,所述的第十二FinFET管、所述的第十三FinFET管、所述的第十四FinFET管、所述的第十六FinFET管、所述的第十七FinFET管和所述的第十八FinFET管均為N型FinFET管,所述的第十一FinFET管、所述的第十二FinFET管、所述的第十三FinFET管、所述的第十五FinFET管、所述的第十七FinFET管和所述的第十八FinFET管均為低閾值FinFET管,所述的第十四FinFET管和所述的第十六FinFET管均為高閾值FinFET管,所述的第十一FinFET管、所述的第十二FinFET管、所述的第十三FinFET管、所述的第十五FinFET管、所述的第十七FinFET管和所述的第十八FinFET管鰭的個(gè)數(shù)均為1,所述的第十四FinFET管和所述的第十六FinFET管鰭的個(gè)數(shù)均為2;
所述的第一FinFET管的源極、所述的第六FinFET管的源極、所述的第十一FinFET管的源極和所述的第十五FinFET管的源極均接入電源,所述的第一FinFET管的漏極、所述的第二FinFET管的漏極、所述的第三FinFET管的漏極、所述的第六FinFET管的背柵和所述的第六FinFET管的前柵連接且其連接端為所述的一位全加器的和信號(hào)輸出端,所述的一位全加器的和信號(hào)輸出端用于輸出和信號(hào),所述的第一FinFET管的前柵、所述的第一FinFET管的背柵、所述的第六FinFET管的漏極、所述的第七FinFET管的漏極和所述的第八FinFET管的漏極連接且其連接端為所述的一位全加器的反相和信號(hào)輸出端,所述的一位全加器的反相和信號(hào)輸出端用于輸出和信號(hào)的反相信號(hào),所述的第二FinFET管的源極、所述的第四FinFET管的漏極、所述的第五FinFET管的漏極和所述的第七FinFET管的漏極連接,所述的第三FinFET管的源極、所述的第八FinFET管的源極、所述的第九FinFET管的漏極和所述的第十FinFET管的漏極連接,所述的第四FinFET管的源極、所述的第五FinFET管的源極、所述的第九FinFET管的源極、所述的第十FinFET管的源極、所述的第十三FinFET管的源極、所述的第十四FinFET管的源極、所述的第十六FinFET管的源極和所述的第十八FinFET管的源極均接地;所述的第三FinFET管的前柵、所述的第三FinFET管的背柵、所述的第七FinFET管的前柵、所述的第七FinFET管的背柵、所述的第十七FinFET管的背柵和所述的第十七FinFET管的前柵連接且其連接端為所述的一位全加器的低位進(jìn)位信號(hào)輸入端,所述的一位全加器的低位進(jìn)位信號(hào)輸入端用于輸入低一位的進(jìn)位信號(hào),所述的第二FinFET管的前柵、所述的第二FinFET管的背柵、所述的第八FinFET管的背柵、所述的第八FinFET管的前柵、所述的第十二FinFET管的背柵和所述的第十二FinFET管的前柵連接且其連接端為所述的一位全加器的低位反相進(jìn)位信號(hào)輸入端,所述的一位全加器的低位反相進(jìn)位信號(hào)輸入端用于輸入低一位的進(jìn)位信號(hào)的反相信號(hào);所述的第四FinFET管的背柵、所述的第十FinFET管的前柵、所述的第十六FinFET管的背柵和所述的第十八FinFET管的前柵連接且其連接端為所述的一位全加器的第一加數(shù)輸入端,所述的一位全加器的第一加數(shù)輸入端用于輸入第一加數(shù),所述的第四FinFET管的前柵、所述的第九FinFET管的前柵、所述的第十六FinFET管的前柵和所述的第十八FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的一位全加器的第二加數(shù)輸入端,所述的一位全加器的第二加數(shù)輸入端用于輸入第二加數(shù),所述的第五FinFET管的前柵、所述的第九FinFET管的背柵、所述的第十三FinFET管的前柵和所述的第十四FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的一位全加器的第一反相加數(shù)輸入端,所述的一位全加器的第一反相加數(shù)輸入端用于輸入第一加數(shù)的反相信號(hào),所述的第五FinFET管的背柵、所述的第十FinFET管的背柵、所述的第十三FinFET管的背柵和所述的第十四FinFET管的前柵連接且其連接端為所述的一位全加器的第二反相加數(shù)輸入端,所述的一位全加器的第二反相加數(shù)輸入端用于輸入第二加數(shù)的反相信號(hào),所述的第十一FinFET管的漏極、所述的第十二FinFET管的漏極、所述的第十四FinFET管的漏極、所述的第十五FinFET管的前柵和所述的第十五FinFET管的背柵連接且其連接端為所述的一位全加器的高位進(jìn)位信號(hào)輸出端,所述的一位全加器的高位進(jìn)位信號(hào)輸出端用于輸出高一位的進(jìn)位信號(hào),所述的第十一FinFET管的前柵、所述的第十一FinFET管的背柵、所述的第十五FinFET管的漏極、所述的第十六FinFET管的漏極和所述的第十七FinFET管的漏極連接且其連接端為所述的一位全加器的高位反相進(jìn)位信號(hào)輸出端,所述的一位全加器的高位反相進(jìn)位信號(hào)輸出端用于輸出高一位的進(jìn)位信號(hào)的反相信號(hào),所述的第十二FinFET管的源極和所述的第十三FinFET管的漏極連接,所述的第十七FinFET管的源極和所述的第十八FinFET管的漏極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于FinFET器件的一位全加器,其特征在于所述的第一FinFET管、所述的第二FinFET管、所述的第三FinFET管、所述的第六FinFET管、所述的第七FinFET管、所述的第八FinFET管、所述的第十一FinFET管、所述的第十二FinFET管、所述的第十三FinFET管、所述的第十五FinFET管、所述的第十七FinFET管和所述的第十八FinFET管的閾值電壓均為0.1V,所述的第四FinFET管、所述的第五FinFET管、所述的第九FinFET管、所述的第十FinFET管、所述的第十四FinFET管和所述的第十六FinFET管的閾值電壓均為0.6V。
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