[發明專利]一種RFID系統的電子標簽的解調電路

有效

• 申請號: 201610044349.4
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN106997481B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 朱紅衛;陸皆晟
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G06K19/07
• 分類號: G06K19/07;G06K7/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，包括：

包絡檢波電路，所述包絡檢波電路包括一負載電路和一第一電容，所述負載電路和所述第一電容并聯于RFID信號與一第二電源端之間，所述負載電路包括并聯的第一支路和第二支路，所述第一支路連接一第一電源端，所述第二支路連接一高速解調控制信號；

第二電容，連接于所述包絡檢波電路與一第一節點之間；

放大電路，連接于所述第一節點與一第二節點之間，所述放大電路包括一線性增益電路和第一反相器，所述線性增益電路和所述第一反相器并聯于所述第二電源端和一第三電源端之間；

整形電路，連接于所述第二節點與所述解調電路的輸出端之間，所述整形電路連接一控制信號；

穩壓電路，所述穩壓電路連接所述第一電源端和第二電源端，并提供所述第三電源端，所述第三電源端連接所述放大電路和所述整形電路。

2.如權利要求1所述的RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，所述第一支路包括：

第一NMOS晶體管，柵極連接所述第一電源端，漏極連接所述RFID信號；

第二NMOS晶體管，柵極連接一偏置電壓，源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第一NMOS晶體管的源極。

3.如權利要求2所述的RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，所述第二支路包括：

第三NMOS晶體管，柵極連接所述高速解調控制信號，漏極連接所述RFID信號；以及

第四NMOS晶體管，柵極連接所述偏置電壓、源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第三NMOS晶體管的源極。

4.如權利要求3所述的RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，所述包絡檢波電路與所述第二電容之間連接一第一電阻。

5.如權利要求1所述的RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，所述線性增益電路包括：

第一PMOS晶體管、柵極連接所述第一節點，源極連接所述第三電源端；

第二PMOS晶體管、柵極和漏極連接所述第二節點，源極連接所述第一PMOS晶體管的漏極；

第五NMOS晶體管，柵極和漏極連接所述第二節點；

第六NMOS晶體管，柵極連接所述第一節點，源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第五NMOS晶體管的源極。

6.如權利要求5所述的RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，所述第一反相器包括第三PMOS晶體管和第七NMOS晶體管；所述第三PMOS晶體管的柵極連接所述第一節點，源極連接所述第三電源端，漏極連接所述第七NMOS晶體管的漏極；所述第七NMOS晶體管的柵極連接所述第一節點，源極所述第二電源端。

7.如權利要求1所述的RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，所述整形電路包括依次連接的施密特觸發器、第二反相器以及第三反相器。

8.如權利要求7所述的RFID系統的電子標簽的解調電路，其特征在于，所述施密特觸發器包括：

第四PMOS晶體管，柵極連接所述第二節點，源極連接所述第三電源端，漏極連接一第四節點；

第八NMOS晶體管，柵極連接所述第二節點，源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第四節點；

第五PMOS晶體管，柵極連接第三節點，源極連接所述第三電源端，漏極連接所述第四節點；

第九NMOS晶體管，柵極連接所述第三節點，源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第四節點；

第六PMOS晶體管，柵極連接所述控制信號，源極連接所述第三電源端；

第七PMOS晶體管，柵極連接所述第四節點，源極連接所述第六PMOS晶體管的漏極，漏極連接所述第三節點；

第十NMOS晶體管，柵極連接所述控制信號，源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第三節點；

第十一NMOS晶體管，柵極連接所述第四節點，源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第三節點。