[發(fā)明專利]一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610044333.3
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN105609609B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邢振遠(yuǎn);李彤;王世俊;董耀盡
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11138
• 代理人: 徐立

1.一種倒裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括基板、以及依次層疊在基板上的P型電流擴(kuò)展層、P型限制層、有源層、N型限制層、N型電流擴(kuò)展層，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片還包括層疊在所述N型電流擴(kuò)展層上的N型歐姆接觸層、P型歐姆接觸層和透明導(dǎo)電層，所述P型歐姆接觸層和所述N型歐姆接觸層為GaAs層，所述透明導(dǎo)電層為氧化銦錫ITO層，所述P型歐姆接觸層和所述N型歐姆接觸層內(nèi)設(shè)有若干延伸到所述N型電流擴(kuò)展層的通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述P型歐姆接觸層的厚度為30～60nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述P型歐姆接觸層的摻雜劑為CCl₄或者CBr₄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述通孔的橫截面的形狀為正方形或圓形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述正方形的邊長為8～12μm，所述圓形的直徑為11～16μm，所述通孔的間距為1～3μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述N型電流擴(kuò)展層包括AlGaInP層和插入所述AlGaInP層中的交替層疊的Al_xGa_1-xInP層和Al_yGa_1-yInP層，x＞y。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，0.6≤x≤0.7，0.3≤y≤0.4。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述Al_xGa_1-xInP層的厚度為6～8nm，所述Al_yGa_1-yInP層的厚度為4～6nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述Al_xGa_1-xInP層和所述Al_yGa_1-yInP層的層數(shù)之和為20～40。

10.一種如權(quán)利要求1-9任一項所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底上依次生長緩沖層、N型腐蝕停層、P型歐姆接觸層、N型歐姆接觸層、N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層，所述P型歐姆接觸層為GaAs層；

將所述P型電流擴(kuò)展層鍵合到基板上；

依次去除所述襯底、所述緩沖層、所述N型腐蝕停層；

在所述P型歐姆接觸層和所述N型歐姆接觸層內(nèi)形成若干延伸到所述N型電流擴(kuò)展層的通孔；

在所述通孔內(nèi)和所述P型歐姆接觸層上形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層為氧化銦錫ITO層。