[發明專利]一種倒裝結構的發光二極管芯片及其制備方法有效
| 申請號： | 201610044333.3 | 申請日： | 2016-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN105609609B | 公開（公告）日： | 2018-02-16 |
| 發明（設計）人： | 邢振遠;李彤;王世俊;董耀盡 | 申請（專利權）人： | 華燦光電(蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 倒裝 結構 發光二極管 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種倒裝結構的發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括基板、以及依次層疊在基板上的P型電流擴展層、P型限制層、有源層、N型限制層、N型電流擴展層，其特征在于，所述發光二極管芯片還包括層疊在所述N型電流擴展層上的N型歐姆接觸層、P型歐姆接觸層和透明導電層，所述P型歐姆接觸層和所述N型歐姆接觸層為GaAs層，所述透明導電層為氧化銦錫ITO層，所述P型歐姆接觸層和所述N型歐姆接觸層內設有若干延伸到所述N型電流擴展層的通孔。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述P型歐姆接觸層的厚度為30～60nm。
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述P型歐姆接觸層的摻雜劑為CCl4或者CBr4。
4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述通孔的橫截面的形狀為正方形或圓形。
5.根據權利要求4所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述正方形的邊長為8～12μm，所述圓形的直徑為11～16μm，所述通孔的間距為1～3μm。
6.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述N型電流擴展層包括AlGaInP層和插入所述AlGaInP層中的交替層疊的AlxGa1-xInP層和AlyGa1-yInP層，x＞y。
7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，0.6≤x≤0.7，0.3≤y≤0.4。
8.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述AlxGa1-xInP層的厚度為6～8nm，所述AlyGa1-yInP層的厚度為4～6nm。
9.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述AlxGa1-xInP層和所述AlyGa1-yInP層的層數之和為20～40。
10.一種如權利要求1-9任一項所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
在襯底上依次生長緩沖層、N型腐蝕停層、P型歐姆接觸層、N型歐姆接觸層、N型電流擴展層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴展層，所述P型歐姆接觸層為GaAs層；
將所述P型電流擴展層鍵合到基板上；
依次去除所述襯底、所述緩沖層、所述N型腐蝕停層；
在所述P型歐姆接觸層和所述N型歐姆接觸層內形成若干延伸到所述N型電流擴展層的通孔；
在所述通孔內和所述P型歐姆接觸層上形成透明導電層，所述透明導電層為氧化銦錫ITO層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華燦光電(蘇州）有限公司，未經華燦光電(蘇州）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610044333.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
