[發明專利]RRAM裝置與其形成方法有效
| 申請號： | 201610043803.4 | 申請日： | 2016-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN106611816B | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發明（設計）人： | 陳達 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭曉宇 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | rram 裝置 與其 形成 方法 | ||
1.一種RRAM裝置，其特征在于，包括：
一底電極，位于一氧化物層中；
多個介電凸塊，位于該氧化物層上，且該底電極位于相鄰的兩個介電凸塊之間，其中該些介電凸塊的底面高于該些底電極的底面；
一電阻轉態層，順應性地位于該介電凸塊、該氧化物層、與該底電極上；
一導電儲氧層，位于該電阻轉態層上；以及
一氧擴散阻障層，位于該導電儲氧層上，其中該導電儲氧層與該些介電凸塊之間隔有部分該氧擴散阻障層。
2.如權利要求1所述的RRAM裝置，其特征在于，該些介電凸塊相連成格狀。
3.如權利要求1所述的RRAM裝置，其特征在于，該介電凸塊的組成為氧化鋁或氮化硅。
4.如權利要求1所述的RRAM裝置，其特征在于，更包括另一氧擴散阻障層位于該電阻轉態層與該導電儲氧層之間。
5.如權利要求1所述的RRAM裝置，其特征在于，該介電凸塊截斷該導電儲氧層。
6.一種RRAM裝置的形成方法，其特征在于，包括：
形成一底電極于一氧化物層中；
形成多個介電凸塊于該氧化物層上，且該底電極位于相鄰的兩個介電凸塊之間，其中該些介電凸塊的底面高于該些底電極的底面；
順應性地形成一電阻轉態層于該介電凸塊、該氧化物層、與該底電極上；
形成一導電儲氧層于該電阻轉態層上；以及
形成一氧擴散阻障層于該導電儲氧層上，其中該導電儲氧層與該些介電凸塊至少之一之間隔有部分該氧擴散阻障層。
7.如權利要求6所述的RRAM裝置的形成方法，其特征在于，形成該導電儲氧層的步驟包括：
順應性地形成該導電儲氧層于該電阻轉態層上；
移除該些介電凸塊之間的部分該導電儲氧層。
8.如權利要求6所述的RRAM裝置的形成方法，其特征在于，形成該導電儲氧層的步驟包括：
順應性地形成該導電儲氧層于該電阻轉態層上；
順應性地形成另一氧擴散阻障層于該導電儲氧層上；
進行一平坦化工藝，移除超出該電阻轉態層頂部的部份該導電儲氧層與超出該電阻轉態層頂部的部份該另一氧擴散阻障層；
移除該些介電凸塊之間的部分該導電儲氧層。
9.如權利要求8所述的RRAM裝置的形成方法，其特征在于，移除該些介電凸塊之間的部分該導電儲氧層的步驟包括：
移除保留的另一氧擴散阻障層未覆蓋的導電儲氧層。
10.如權利要求8所述的RRAM裝置的形成方法，其特征在于，移除該些介電凸塊之間的部分該導電儲氧層的步驟包括：
移除部份該導電儲氧層與部份該另一氧擴散阻障層，且保留的部份該導電儲氧層與相鄰的兩個介電凸塊中的一者緊鄰，并與相鄰的兩個介電凸塊中的另一者相隔一段距離。
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