[發明專利]一種高效率快速電壓發生電路在審
| 申請號: | 201610042213.X | 申請日: | 2016-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN105529917A | 公開(公告)日: | 2016-04-27 |
| 發明(設計)人: | 方鏡清 | 申請(專利權)人: | 中山芯達電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/07 | 分類號: | H02M3/07 |
| 代理公司: | 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286 | 代理人: | 鄒常友 |
| 地址: | 528400 廣東省中山市火*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效率 快速 電壓 發生 電路 | ||
技術領域
本發明涉及應用于集成電路中的升壓技術,尤其是涉及一種高效率快速電壓發生電路。
背景技術
目前,集成電路中都設置有電壓發生器,電壓發生器可以為某些電路提供穩定的、不同電平值的電壓,以滿足各電路單元供電、源信號等的需要。現有的電壓發生器大多存在升壓緩慢和元器件數量多的問題,造成了集成電路的反應時間慢和成本高。
發明內容
為解決現有技術中存在的不足問題,本發明提供一種高效率快速電壓發生電路,該電路是采用多組相互串聯的升壓單元來進行電路升壓,該升壓方式的升壓效率快而且使用的元器件比較少,減小了集成電路的成本和提高了集成電路的反應速率,其具體技術內容如下:
一種高效率快速電壓發生電路,包括電壓輸入端與電壓輸出端,該電壓輸入端與電壓輸出端之間依次連接有若干升壓單元,該升壓單元包括串聯連接于電源端VCC與地端之間的第一MOS管和第二MOS管,以及用于儲存電能的第一電容,各升壓單元設有一控制節點;該控制節點與該第一MOS管的柵極相連,該控制節點反相后與該第二MOS管的柵極相連,該第一電容的一端連接前一級電路,另一端連接于該第一MOS管和第二MOS管的串聯連接點,該串聯連接點連接后一級電路;該電壓輸出端處設有第一二極管與第二電容。
于本發明的一個或多個實施例當中,該升壓單元有四個,包括依次連接第一升壓單元、第二升壓單元、第三升壓單元和第四升壓單元,該第一升壓單元的第一電容連接該電壓輸入端,該第四升壓單元的第一MOS管和第二MOS管的串聯連接點連接該第一二極管的陽極,以該第一二極管的陰極作為輸出。
于本發明的一個或多個實施例當中,該些升壓單元的控制節點輸入的是周期開關信號,該周期開關信號為方波或正弦波。
于本發明的一個或多個實施例當中,該第一升壓單元的第一電容與該電壓輸入端之間連接有反相器。
本發明提供一種高效率快速電壓發生電路,該電路是采用多組相互串聯的升壓單元來進行電路升壓,各個升壓單元在控制節點的信號控制下,能夠瞬間實現電容多次重復逐級累加充電,從而達到提高輸出電壓值的效果,該升壓方式的升壓效率快而且使用的元器件比較少,減小了集成電路的成本和提高了集成電路的反應速率。
附圖說明
圖1為本發明的高效率快速電壓發生電路的電路圖。
圖2為圖1各節點的電壓信號波形圖。
具體實施方式
如下結合附圖1和2,對本申請方案作進一步描述:
一種高效率快速電壓發生電路,包括電壓輸入端E與電壓輸出端OUT,該電壓輸入端與電壓輸出端之間依次連接有第一、第二、第三和第四升壓單元,
該第一升壓單元包括串聯連接于電源端VCC與地端之間的MOS管Q1(即第一MOS管)和MOS管Q2(即第二MOS管),以及用于儲存電能的電容C1(即第一電容),該第一升壓單元設有一控制節點D;該控制節點D與該MOS管Q1的柵極相連,該控制節點D反相后與該MOS管Q2的柵極相連,該電容C1的一端通過反相器連接電壓輸入端E,另一端連接于該MOS管Q1和MOS管Q2的串聯連接點ND;
該第二升壓單元包括串聯連接于電源端VCC與地端之間的MOS管Q3和MOS管Q4,以及用于儲存電能的電容C2,該第一升壓單元設有一控制節點C;該控制節點C與該MOS管Q3的柵極相連,該控制節點C反相后與該MOS管Q4的柵極相連,該電容C2的一端連接第一升壓單元的點ND,另一端連接于該MOS管Q3和MOS管Q4的串聯連接點Nc;
該第三升壓單元包括串聯連接于電源端VCC與地端之間的MOS管Q5和MOS管Q6,以及用于儲存電能的電容C3,該第一升壓單元設有一控制節點B;該控制節點B與該MOS管Q5的柵極相連,該控制節點B反相后與該MOS管Q6的柵極相連,該電容C3的一端連接第二升壓單元的點Nc,另一端連接于該MOS管Q5和MOS管Q6的串聯連接點NB;
該第四升壓單元包括串聯連接于電源端VCC與地端之間的MOS管Q7和MOS管Q8,以及用于儲存電能的電容C4,該第一升壓單元設有一控制節點A;該控制節點A與該MOS管Q7的柵極相連,該控制節點A反相后與該MOS管Q8的柵極相連,該電容C4的一端連接第三升壓單元的點NB,另一端連接于該MOS管Q7和MOS管Q8的串聯連接點NA;
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