[發明專利]晶體管及顯示設備在審
| 申請號： | 201610041989.X | 申請日： | 2010-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN105448937A | 公開（公告）日： | 2016-03-30 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;坂倉真之;渡邊了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宮永昭治;廣橋拓也;岸田英幸 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L29/04;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 顯示 設備 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
氧化物半導體層；
與所述氧化物半導體層電連接的源極電極；以及
與所述氧化物半導體層電連接的漏極電極，
其中所述氧化物半導體層包括包含納米晶體的區域、以及沿垂直于表面的方向的c軸取向的結晶區，
其中所述氧化物半導體層包括與所述源極電極重疊的第一區，
其中所述氧化物半導體層包括與所述漏極電極重疊的第二區，
其中所述氧化物半導體層包括所述第一區和所述第二區之間的第三區，
其中所述第三區包含比所述第一區多的氧，并且
其中所述第三區包含比所述第二區多的氧。
2.一種半導體裝置，包括：
包含In、M(M是Ga、Al、Mn或Co)和Zn的氧化物半導體層；
與所述氧化物半導體層電連接的源極電極；以及
與所述氧化物半導體層電連接的漏極電極，
其中所述氧化物半導體層包括包含納米晶體的區域、以及沿垂直于表面的方向的c軸取向的結晶區，
其中所述氧化物半導體層包括與所述源極電極重疊的第一區，
其中所述氧化物半導體層包括與所述漏極電極重疊的第二區，
其中所述氧化物半導體層包括所述第一區和所述第二區之間的第三區，
其中所述第三區包含比所述第一區多的氧，并且
其中所述第三區包含比所述第二區多的氧。
3.一種半導體裝置，包括：
第一柵極電極；
在所述第一柵極電極之上的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層之上的氧化物半導體層；
在所述氧化物半導體層之上的第二絕緣層；以及
在所述第二絕緣層之上的第二柵極電極，
其中所述第一柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述第二柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述氧化物半導體層包括包含微晶的第一結晶群的第一區域，并且
其中所述氧化物半導體層包括在所述第一區之上的包括沿垂直于表面的方向的c軸取向的第二結晶的第二區。
4.一種半導體裝置，包括：
第一柵極電極；
在所述第一柵極電極之上的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層之上的包括In、Ga及Zn的氧化物半導體層；
在所述氧化物半導體層之上的第二絕緣層；以及
在所述第二絕緣層之上的第二柵極電極，
其中所述第一柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述第二柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述氧化物半導體層包括包含微晶的第一結晶群的第一區，并且
其中所述氧化物半導體層包括在所述第一區之上的包括沿垂直于表面的方向的c軸取向的第二結晶的第二區。
5.一種半導體裝置，包括：
第一柵極電極；
在所述第一柵極電極之上的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層之上的氧化物半導體層；
在所述氧化物半導體層之上的第二絕緣層；以及
在所述第二絕緣層之上的第二柵極電極，
其中所述第一柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述第二柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述氧化物半導體層包括非晶和微晶的第一結晶的混合物的第一區，并且
其中所述氧化物半導體層包括在所述第一區之上的包括沿垂直于表面的方向的c軸取向的第二結晶的第二區。
6.一種半導體裝置，包括：
第一柵極電極；
在所述第一柵極電極之上的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層之上的包括In、Ga及Zn的氧化物半導體層；
在所述氧化物半導體層之上的第二絕緣層；以及
在所述第二絕緣層之上的第二柵極電極，
其中所述第一柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述第二柵極電極包括與所述氧化物半導體層重疊的區域，
其中所述氧化物半導體層包括非晶和微晶的第一結晶的混合物的第一區，并且
其中所述氧化物半導體層包括在所述第一區之上的包括沿垂直于表面的方向的c軸取向的第二結晶的第二區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
