[發明專利]防止光刻膠層脫落的方法在審
| 申請號： | 201610041405.9 | 申請日： | 2016-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN105676594A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 徐濤;王卉;陳宏;曹子貴 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 光刻 脫落 方法 | ||
1.一種防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底表面形成待刻蝕層；
對所述待刻蝕層進行表面處理，提高所述待刻蝕層的表面親水性；
在所述進行表面處理后的待刻蝕層表面形成光刻膠層。
2.根據權利要求1所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 表面處理提高待刻蝕層表面的含氧基團數量。
3.根據權利要求1所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 待刻蝕層的材料為氧化硅或氮化硅。
4.根據權利要求3所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 表面處理方法提高待刻蝕層表面的Si-O或Si-OH數量。
5.根據權利要求1所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，在形 成所述光刻膠層之前，采用旋轉涂覆工藝在所述進行表面處理后的待刻蝕 層表面形成六甲基二硅亞胺層。
6.根據權利要求5所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 旋轉涂覆工藝的時間為36s～55s。
7.根據權利要求1所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 表面處理的方法為灰化工藝、刷洗工藝或去離子水清洗工藝。
8.根據權利要求7所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 灰化工藝采用的氣體為氧氣，流量范圍為1000sccm～5000sccm，壓強范圍 為500mTorr～3000mTorr，溫度范圍為50℃～300℃，時間范圍為20s～10min。
9.根據權利要求7所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 刷洗工藝為采用去離子水沖洗待刻蝕層表面，時間為10s～100s，水壓為 2MPa～3MPa。
10.根據權利要求7所述的防止光刻膠層發生脫落的方法，其特征在于，所述 去離子水清洗工藝采用浸入式清洗方式，時間范圍為200s～1000s，溫度范 圍為20℃～80℃。
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