[發明專利]一種在高COP硅單晶襯底上制備200mm-300mm低缺陷外延片的方法有效
| 申請號： | 201610041286.7 | 申請日： | 2016-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN105543951B | 公開（公告）日： | 2019-01-01 |
| 發明（設計）人： | 梁興勃;王震;陳華;李慎重;楊盛聰;鄔幸富;田達晰 | 申請（專利權）人： | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/20 | 分類號： | C30B25/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達 |
| 地址： | 315800 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cop 硅單晶 襯底 制備 200 mm 300 缺陷 外延 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在高COP硅單晶襯底上制備200mm-300mm低缺陷外延片的方法，包括：
(1)將高COP硅單晶襯底置于外延爐的石墨基座中，通入濃度為99.9999％的氫氣，在純氫氣氣氛中升溫至800℃，升溫速率為3℃/s，保溫10s；
(2)然后升溫至烘烤溫度，將外延爐的保護氣氛切換為氫氣/氬氣混合氣氛，其中氫氣所占體積比為60％，對上述硅單晶襯底進行烘烤；其中，烘烤溫度為1150℃，升溫速率為5℃/s，烘烤時間為180s；
(3)將外延爐的保護氣氛切換為純氫氣氣氛，降溫至外延生長工藝溫度并保溫；通入硅源氣體，先在硅單晶襯底上生長本征外延層，隨后通入硅源氣體和摻雜氣體，生長摻雜外延層即得低缺陷外延片；其中，外延生長工藝溫度為1120℃，降溫速率為3℃/s，保溫時間為30s；控制本征外延層的生長速率在2.1μm/min；控制摻雜外延層的生長速率在3.7μm/min。
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